跪求大神解释下：带隙基准源的温度系数和功耗关系

采用chart0.18工艺，当整体电流为30~40uA是温度系数大概为150ppm/摄氏度，当整体电流为100uA时，温度系数大概为3~5ppm/摄氏度，这个是什么道理。本人想做一个30uA的基准，其中运放10uA以内，简单两级运放，增益大概为90dB，求教如何降低温度系数。

自己先顶一个，坐等大神

仿真得到的温度系数和功耗无关，你的实验有相关只是因为你增大电流改变了工作点而已，nA级别电流也能仿真到几ppm/C的。
纯CMOS工艺低温漂，可以考虑 trimming + offset cancellation + 高阶温度补偿。

谢谢前辈，trimming是什么啊?还有工作点是运放还是三极管的呢，不是很明白哦?

我刚刚仿了一下电路，发现两种情况下，运放的输入电压差值不一样，温度系数大的vin+ - vin- =6.8uV,而温度系数小的vin+ -vin- =-7.9uV。这个是不是说明vos失调电压的影响，请问怎么测量失调电压呢?要门特卡洛仿真吗?系统失调和随机失调?大神教教我啊！

简单两级运放，增益大概为90dB

你现在仿真的就是系统失调，随机失调是需要蒙特卡洛仿真的而且不止几uV，一般运放输入失调电压几百uV到数mV.你现在应该好好看书，自己动手定性定量推导温度系数和那些电路元件参数相关。方法是先考虑主要的VBE和ΔVBE的一阶温度系数，假设其它理想。再在此基础考虑其它元件的温度系数，失配等等。

谢谢前辈指导，我先试试，不明白的再请教您。

Ice不同则vbe的温度系数和vbe都不一样，当然会影响