双极工艺怎么根据电流确定发射极的面积？

大家好，最近有个项目是纯双极工艺的，以前一直是做CMOS的，没做过双极的，想请教一下，双极的NPN，PNP尺寸怎么确定，比如知道了集电极电流，怎么确定发射极面积?或者对于确定尺寸的NPN或PNP，在beta基本不变的集电极电流范围内，基极电流（或者说Vbe）应该取多大合适?

bipolar 一般跟MOS 不一样 , 如LPNP 其实看周长 一般画圆的 ,只有 VPNP VNPN 画方的
一般 使用方式是看IC &HFE (beta) ,如果 一 unit1mbeta=100 .
你须要10ma , 如果是 VPNP VNPNemitter 变大 x10 可以
但是 如果 LPNP 那类 ,就是并连方式因为 外观变很多会变.
bipolar 还有 multi collector 使用方式很特殊 ,还有 须要 tank bias , channel stop ,
还有 LEAKAGE 要小心以免使用 darlington 因为 leakage 误开

以前做过bipolar电路。感觉bipolar不像cmos那样灵活，一般工艺厂商会给出不同发射极面积的bipolar，但在电路设计中，当选定某种发射极面积的bipolar后，我们能做的就只有改变发射极的个数了。
如果想要调节流过bipolar的电流，只有在bipolar上串联电阻。比如我用过上海先进的bipolar，这个工艺会告诉我发射极面积为2u*2u的bipolar最大通过多少电流I0。我的电流如果大于I0，那么我会增加发射极的个数，或干脆选另一个发射极面积更大的bipolar；如果我需要的电流小于I0，那么我就会用电阻来调节流过bipolar的电流。
我在设计bipolar时，只要保证bipolar处于饱和区就行了，没有特别精确Vbe到底是多少。

个人的观点，希望大家也指点一二啊！