power clamp中ESD-clamping NMOS栅极接的对源PMOS电容有什么用呢？

请教大家几个问题：
1，ESD-clamping NMOS栅极对源接了PMOS电容有什么用呢?
2，另外，RC一般取多大?ESD-clamping NMOS的turn-on time一般设为多长呢?Ming-Dou的论文上说，RC时间常数一般为us级别，而NMOS的turn-on time一般为200ns，但是如果我把RC设为160ns，NMOS的turn-on time会变成800多ns。
3，55nm的工艺，1.2V的VDD，power-clamp如果使用1.2V的器件，则因为漏电太大，RC处电压不能充电上去。导致ESD-calmping NMOS一直开启不能关断。所以只能用2.5V器件。这样给1.2V的电源提供power-clamp会不会有问题呢?
谢谢。

1 加PMOS 电容是RC充电，使得NMOS rise up 时间变长，减少INRUSH current。
2 可以参考柯大侠的。
3 不可以。

非常感谢！
1，第一个问题明白了，谢谢前辈。
2，第二个问题，是说参考柯大侠的把RC设为us级别吗?这样NMOS的turn-on time会比他提到的200ns长很多呢。还是说参考他的优先设置NMOS的turn-on time?这样RC时间常数会远远不到us级别。
3，如果用1.2V的器件，因为漏电太大，NMOS栅极电压冲不上去，那有什么办法可以解决这个问题呢?谢谢。

1，ESD-clamping NMOS栅极对源接了PMOS电容有什么用呢?
PMOS电容的作用，应当是加速NMOS clamp管开启；当电源上突然有静电时，会通过PMOS电容耦合到clamp管栅极，从而快速开启clamp管；

问题3，你说的是NM1管的漏电太大?上面有300K电阻，NM1管栅漏电应该不大，不会导致RC节点充不上电；

下面是我的仿真图和电路图，可以看到电容栅极有几十uA的电流。反相器的输入端最多充电到2.3V，然后后面的NMOS管就一直开启了。不知道这样仿真有没有问题呢?我也是仿照柯大侠的文章中的方法去仿真的。非常感谢！

换成2.5V的器件就没有这个问题了。

请问这个电容一般加多大呢?感谢。

对ESD有全面了解的这个应该是基础。
这个就是GGNMOS的升级，但原理略有不同，这个利用沟道泄放。原理是利用RC缓慢上电，保证ESD-NMOS打开。
这个只能应用于HBM和MM，CDM无效。
根据经验，RC时间常数大概是10nS左右。

请问你模拟HBMorMM电压是如何给?
是使用灌电压?还是模拟电流方式 去模拟 esd
gate couple 如果没高压电容是否使用 mosCgd 当电容

NM1应该是可以用高压器件的