如何减小ESD保护器件寄生电容，提高IO带宽？

各位大神， 小弟目前在从事一个项目中， IO的速度受到限制， S21 -3dB带宽只有700MHz， 目前想通过减小ESD器件上的寄生电容的办法提高带宽， ESD采用的是SCR bipolar 和 GCNMOS 两种ESD 器件， 寄生电容的影响是去掉ESD器件，前仿带宽可以提高400MHZ， 请教有无其他特殊的ESD电路结构或者器件来减小ESD上的寄生电容， 另外， 有无其他办法提高IO的速度带宽? 不胜感激， 再次拜谢！

ESD是比较专门的一个方向。可以加tcoil提高带宽。

嗯 ， 是的， ESD 很难改变了，只能寻求其他办法， 可是tccoil我不太懂， 大侠能否帮忙稍微再详细的解释一下 ?

A TCoil-Enhanced 8.5Gbps High-Swing source-Series-Terminated Transmitter in 65nm Bulk CMOS

really thanks , 大神