关于两个MOS管串联的讨论。

应该是避免使用倒比管

其实单纯从W/L上考虑应该是没有区别的。
使用两个(或多个）串联，提高L。
我认为好处如下：
1. 正如二楼所说，避免使用倒比管（W/L远小于1时）；
2. 通过拆分为多个管子串联时，在layout上容易布局、匹配；
3.串联时，如果SD电压降低，一个管子进入线性区，但可保证另外一个工作在饱和区。

还有别的作用，请高人补充。
lixiaojun707

学习中。

单纯从w/l考虑，也应该考虑背栅效应的影响，如图中的情况就是。

低功耗中常用到

学习了

学习一下

为了layout 匹配?

个人觉得还可以提高电路的耐压水平

常用于低电压的电路吗?

layout 比较好做。

串联获得的增益要大很多。PS 可以参考拉杂维书上第73页。

thanks good talk

小编，你知道答案了吗

有一种情况下经常用这种代替直接增加L: 作为一个rise/fall time很大的信号的buffer，比如ring oscillator的输出buffer。前级rise/fall time很大，所以这个buffer的short current会很大。两管串联比直接增加L效果更好，原因：
1. 因为上面管子的衬偏效应，Vth更大，所以short current更小；
2. 同样因为Vth更大，上面管子的栅电容也更小（栅电容在Cov和2/3Cox之间，变化点是Vth，更大的Vth平均来看Cov那段更长）

佩服佩服，学习了。