求助:关于应用于LDO负载时陶瓷电容esr的问题

各种资料都说陶瓷电容的esr比较小，能到几十毫欧，可是我查了下村田esr曲线，10uf电容在100HZ的时候性能好些的也要0.8欧姆，一般常见的都要几欧姆，甚至会到10以上，所以有些疑问，在考虑ldo稳定性的时候，应该怎么选择陶瓷电容，电容的esr应该看多少频率下的值，谢谢

r u sure?
datasheet的截图瞅瞅呗；
这个esr量级超过正常认知了的说

钽电容的A型封装的ESR最多也就10ohm左右。

soc里面用的0402/0201/01005封装的1/2.2/4.7uF电容esr基本2-30mOhm

这是村田一款10uF电容特性曲线，红框里是电容的esr曲线，100Hz的时候大约在3欧姆左右，封装是0805。关于钽电容，AVX的一款钽电容也是类似的曲线，100Hz的时候也大概有一两欧姆。就是不清楚，在做ldo、考虑稳定性方面的时候，这个esr应该看哪个频率的比较合适

这是村田一款10uF电容特性曲线，红框里是电容的esr曲线，100Hz的时候大约在3欧姆左右，封装是0805。

像这条曲线的话，一般做LDO考虑稳定性问题的时候，应该选择什么频率下的值来仿真呢，如果是dc或者100Hz的话，肯定是欧姆级别的啊。这条曲线我咨询过村田了，他们说是电阻的ESR曲线

像这条曲线的话，一般做LDO考虑稳定性问题的时候，应该选择什么频率下的值来仿真呢，如果是dc或者100Hz的话，肯定是欧姆级别的啊。这条曲线我咨询过村田了，他们说是电阻的ESR曲线

不知道为什么传不上图来，大致描述下吧，100Hz时ESR是5欧姆左右，随频率逐渐减小，在1MHz时低到5毫欧，然后随频率增加逐渐上升，10G的时候又变为5欧姆左右，这款电容型号是GRM21BC71E106KE11，容值为10uF

不知道为什么传不上图来，大致描述下吧，100Hz时ESR是5欧姆左右，随频率逐渐减小，在1MHz时低到5毫欧，然后随频率增加逐渐上升，10G的时候又变为5欧姆左右，这款电容型号是GRM21BC71E106KE11，容值为10uF