三极管的vbe随corner变化很大，可以做出高精度的电压源吗

ibm130bicmos8hp
想要做一个600mV精度正负2.5百分比的电压源，采用的banggap结构是电流加权结构，只是npn的vbe变化50mV，只考虑npn的corner已经超标了，根据公式折算到输出是30mV左右，还要考虑负温度系数的变化，我觉得很难做啊

所谓的精度，有绝对的，也有相对的。一定要求绝对准确可以trimming。

不做triming 保证输出电压在585mV--615mV之间

BJT比mos管的工艺偏差小多了，不知道你用的哪个工艺，corner这么差?50mV?！我试了一下恒定电流下的VBE，corner偏差只有±10mV的，6sigma也只有40mV。
尽量减小除VBE偏差外的其它误差，然后注意匹配的话，前仿后仿，蒙特卡洛6sigma肯定能满足要求的。至于做出来多大误差，还和封装等其它因素有关。
用的是标准CMOS工艺里的pnp.