Capless LDO 输出电容放多大才合适

capless LDO主极点一般在内部，考虑稳定性的话输出电容是越小越好，带宽如果不够，输出电容小了瞬态响应会差些，但capless一般都是考虑负载电容大小来设计电路，除了补偿电容外，还有必要再加输出电容么?

参考前人的设计，都加了大电容。不同的应用场合，比如低噪音，还额外加了电容

一般LDO pass transistor use pmos
3.3v -> 1.1v10ma 应该可以使用 nmos 方式 .是否NMOS 比较简单?
以前做ON DIE 如 opa 负端接输出使用 nmos 都很容易稳定 ,
但是改使用 pmos opa 正端接输出 不稳.如果 3.3v-> 1.1v NMOS 可以用吧

用NMOS确实速度要快，实现起来 各项参数也比较好

不要沉呀 我加了200p 不影响主极点

用NMOS。

thank！

谢谢分享

最近也有在看，但不是很明白capless的极限是受哪些制约的