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静态功耗1.5uA左右的LDO

时间:10-02 整理:3721RD 点击:



此为超低静态功耗LDO(1.5uA)中的运放、功率管、电阻反馈、频率补偿电路,保护电路;
不解之处:1、此运放功耗大概0.8u左右,尾电流管倒比为了降低功耗,那串联为什么?还有那个串联的电阻时为了改善CMRR嘛?
2、频率补偿电路论文上很少见,实在不懂,请大师讲讲或是有什么资料吗?
3、保护电路,感觉既有短路保护功能又有过流保护功能,但还有说温度保护的,问:到底是什么保护,工作原理;
忘各位大神不吝赐教!

图画错了吧,M8和M9的gate是floating的。

对,M8为二极管接法,疏忽了,多谢提醒,

没有新回复啊,,是不是我问的太多了,

dingyixia

以上问题对于前馈补偿电路,没有弄明白,有没有大牛提供一下前馈补偿的相关资料啊

前馈补偿搜Ka Nang, Alex LEUNG A capacitor-free CMOS low-Dropout Regulator With Damping-Factor-Control Frequency Compensation
还有这个LDO负载电容多大

大約MP:M10=1000:1,就像current mirror,當MP的電流過大,M10電流也會增大,使R5產生大電壓差大於M11的Vt閾值,使M11導通,再使M8電流增大,M8, M9就像current mirror,結果M9導通大電流使A點電壓往VDD抬高,MP電流就被限縮小了。這就是短路保护功能又有过流保护。
M7當作diode用,溫度過高時M7的Vgs會降低,M8的倒通電流會增加,同樣使A點電壓提高,MP被限流。這就是過溫保護。

為什麼不用long gate length 單一個M5? 而是用M5 M6串聯?
一是為了更小的電流,二是因為MOS model保證準確度之下gate length有所限制,所以單一個M5 gate length無法做太長,所以才會串連兩個。
R1是為了高頻的CMRR,原因讓你自己動動腦。

mark!

8楼的回答好赞

学习了

完全赞同,但对于M7实现的过温保护不是太理解,请大神指点!多谢~

学习ing

1、此运放功耗大概0.8u左右,尾电流管倒比为了降低功耗,那串联为什么?还有那个串联的电阻时为了改善CMRR嘛?
串联的原因,之前8楼也说过了,我在补充一下,如果你的vbias是一个analog电压,M5,M6的length与mirror管子的L相同还能取到增强匹配的功能。
串联R1肯定会提高CMRR,但是是不是主要原因还不一定,R1有多大呢?
2、频率补偿电路论文上很少见,实在不懂,请大师讲讲或是有什么资料吗?
你的输出带载电容有多大呢?你给的信息实在太少了。
像你所说C1与C2会形成一个零点(为什么你要区分成两个呢?C1/C2?)R4你们真的加了?R4要慎重
基本的miller都没有做,电路很难稳定
3、保护电路,感觉既有短路保护功能又有过流保护功能,但还有说温度保护的,问:到底是什么保护,工作原理;
同意8楼,你的信息太少了。
没有办法深入分析。

thanks

恩,谢谢你的讲解,看完更清晰了,不过,在电路中分析中,最后确定M7管是耗尽管,

图呢看不到

你好,请问你的静态电流怎么测试呢?

self-cascode,相比共源共栅,有更小的电压消耗,而且匹配性和抑制能力都不错

谢谢分享

学习学习

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