基于体硅工艺和SOI工艺的LNA比较
时间：10-02
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请教个问题，从designer的角度来看，在同一个工艺节点，基于体硅的LNA和基于SOI的LNA在RF performance上有太大差异么?如果有差异，为什么?
由于掩埋层的存在,寄生的Cbs和Cbd较体硅工艺大大减小,所以通过衬底耦合到电路模块的噪声大大减小.