求教关于CMOS工艺中BJT的问题
时间:10-02
整理:3721RD
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发现一般CMOS工艺中都用PNP管做带隙基准源。但是我仿真发现,是带npn管的CMOS工艺中,其beta值比pnp管要高,那位什么还是会选择用pnp管做bandgap reference呢?
标准的CMOS工艺是没有NPN的,需要添加一层PBASE层实现.
那如果是mixed-signal CMOS工艺一般会做这一层吗?
3# cutezero
我想即使工艺中有这一层,一般公司也是不希望使用的,因为这样会增加制造成本
在smic18混合工艺的器件库里这两种都有,pnp确实比npn少一层
而pnp是bc直接接到地的,也很方便吧,
既然pnp可以为什么要用npn呢,你说是吧
做带隙beta不是问题
3# cutezero
很多mix工艺都支持的,具体的你可以看下工艺文件,要增加成本是必然的了,代工厂一般按光刻次数收钱的.
另外使用NPN在很多时候可以极大的减小电路设计的难度.
一般都用vpnp
考虑工艺兼容性
以前真没注意到beta的两个区别。原来要另外加层次才能有NPN.
不过这个beta没有关系。虽然一般推导的时候都是忽略Base电流,但是即使考虑了,同一工艺下,两个管子Beta值一样,这个参数推导的 时候还是能够抵消的
ALVAYS
用NPN管要多加一层版
学习了
学习了
本来还在困惑,现在明白了,学习
kankan