关于中芯国际0.18um工艺的问题
另外还有两个问题，拜大牛给解释一下：
1、在工艺中有native NMOS和Medium NMOS，看了这么模型和正常MOS管如n18的参数进行比较，主要区别在于阈值电压的不同，能提供一些native NMOS和Medium NMOS的应用情况吗?
2、管子的工作电压问题！比如3.3V IO PMOS MODEL中的管子长期正常工作电压在是要保证源漏、栅源、漏衬等各个两端电压不超过3.3的10%左右，请问这个在哪儿可以查到，只有去问foundry了吗?这些电压的大小与工艺的什么有关，是不是工艺定了，对于一个特定的管子3.3V IO PMOS MODEL就不能改变这些了。管子的齐纳击穿电压和雪崩击穿电压又怎么查?我记得这个是用软件可以测出来，不过foundry也应该给这个数据，对吗?
工艺提供的管子如下所示：
* Model name:
*MOSFET:
**--------------------------------------*
*|MOSFET type|1.8V|3.3V|
*|======================================|
*|NMOS|n18|n33|
**--------------------------------------*
*|PMOS|p18|p33|
**--------------------------------------*
*|Native NMOS|nnt18 | nnt33|
**--------------------------------------*
*|Medium NMOS| nmvt18 | nmvt33 |
**--------------------------------------*
*|Medium PMOS| pmvt18 |----|
**--------------------------------------*
这应该是调节implant的dosage来实现的吧
1. 0.18um logic/mix-signal baseline 的工艺為1.8V/3.3V
在baseline 的工艺有 5V tolerance 的 ESD I/O
另外有 0.18um Logic 1P6M(1P5M,1P4M) Salicide 1.8V/5V or1.8V/5.5V Ultra Low Leakage (ULL) process及 1.8V/5.5V/32V High-Voltage LDMOS process
2. Native device 及 Medium device 會用在 low-volage 或 low-power 電路
其中Native device 不需要額外的 Mask, 而 Medium device 則需要額外的 Mask.
3. 3V IO MOS 的規格, 可以參考 foundry 給 ESD IO datasheet 或 foundry 工廠的 reliability report.
非常感谢ls的，解释的很详细也很透彻，谢谢：）
TSMC的也有这样的问题不?
好像明白了一些
“其中Native device 不需要額外的 Mask”Why?Thanks
thanks
.
挺高深！
native device 不做阈值doping，
所以不用而外mask
好问题
谢谢！我注意到Layout时有Native N 这一层，是不是不产生额外的MASK，这一层是由类似Nwell 、有源区OD、poly这些运算生成的?
应该是正常的MOS的阈值调整是由 nmos pmos 有源区，Native层决定的
就相当于做阈值调整的mask原来由n/p有源区形成
现在由n/p有源区中去除Native层形成。
所以Native层只是参与了运算，没有增加mask
因为native device是不同mask经过逻辑运算以后出来的，在process上需要多一道工序，但是不用新的mask。
不过这种mos leakage不小。
慎用
请问：native NMOS 的Vth很低，接近于0V，那么使用在那些场合?它的优势在哪?谢谢
1111
sub-micro做電容，因為他的vth接近0，所以電容是穩定的，比如一般的mos管做電容，當vgs少于vth時候，電容值就變了。
挺高深！
除了用作Cap，我还见到用在开关上了，不知道怎么实现的
Vth接近0，关闭得时候电阻很小。只是要注意off 得时候得leakage。
我还用他做source follower 得input device, 也是利用Vt=0
作开关的比较多，因为没有Vt， 所以建立时间很短，尤其是那些Pre-Charege circuit,
nmos的VTh之间关系: native<medium<normal.根据需要选择
有些不是很懂
请问：
阈值电压调整是在工艺中的哪一步?比如在0.13um的工艺中。
为什么native device 需要多一道工序?
看一下先~
中心 good luck
谢谢分享！
挺高深！
不错的分享
看LVS里面会有介绍管子怎么做的吧