关于mim电容，底极板采样，一直有个疑问。

以前在学校用.13工艺流片时，有特殊的金属层mim层，用来做电容。一般采样电路中都采用底极板采样，而用mim这一侧极板接运放输入端。我一直认为，因为mim层电容极板比下面一侧的电容极板稍小一些，容值由mim层面积决定，而mim因为专门用作电容制作，所以精度比较高，mismatch会更好。因此才会采用底极板采样。不过今天有同事提到，因为非mim层的另一侧极板对衬底有寄生电容，所以才使用mim层接运放高阻输入端。不知大家怎么看的?

应该是MIM下极板接运放输入，因为有寄生，且衬底噪声对其影响较大，因此下极板接运放输入端的虚地，降低其影响吧

你是哪家工艺?

工艺成熟的话哪个基板输入影响并不大，你周围把dumy画好，周围隔离画好，电容最好大一些，就很不错了

请问，如果采样电容，不做dummy的话，会影响精度吗?

从工艺的层面来说，会的。如果某个区域金属分布不够均匀，甚至达不到工艺要求，那么这个区域内的金属很有可能会欠刻蚀或过刻蚀，从而影响器件精度。另一方面，dummy有一定的阻隔噪声的作用，所以信号也会更纯净。

采用寄生电容小的端口做运放连接端，可以提高整个放大结构的性能。

我也想知道啊！

在麻烦问一句，在仿真中怎样设置可以体现出加dummy和不加dummy的区别，
不加dummy情况，要手动更改输入电容值，再仿真?
大神们，有没有用过其他的方法?

加不加dummy所体现的不同在两个方面，一个是寄生电容，这个通过版图提取后仿可以了解；另一个是工艺漂移， 一般来说，工艺的漂移是可以通过Corner仿真和蒙特卡洛仿真来展现的。

学习了~不知道mom电容和mim电容相比哪个更好用?