BCD高压工艺求助
时间:10-02
整理:3721RD
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请问各位有没有用过这样一种BCD高压工艺,5V的普通MOS管,高压LDMOS,要求VGS,VDS都要耐高压,最高耐压大概24V左右,有用过的麻烦说下是哪家工艺厂,不甚感激
HHGraceCV800GS40
谢谢,确定是栅源也能耐高压的吧?
CSMC的HV 1U,LDMOS栅源可以有25V的耐压
0.5UM的工艺有吗?
有0.25的BCD,标称可以达到,但我没试过。
BCD 一般 GATE 低压 .有高压DMOS 还有代LDMOS应该不多吧
谢谢了,已经拿到这个工艺的文件了,看了下是管子可以,不过这个工艺里面的二极管都写着不能工作在正向区域,电路中需要二极管工作在正向区域来防倒灌,除了用NPN代替,有没有其他办法,二极管需要过一定的大电流。
防反接的Diode一般用片外,这么大的电流必须要垂直流向了。
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