微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > RFIC设计学习交流 > 接片外电容的LDO的主极点是在输出还是内部?

接片外电容的LDO的主极点是在输出还是内部?

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
加上1uF片外电容,输出极点频率很低,我看很多文献用一个零点去抵消它,我觉得与其抵消它,不如抵消内部极点来得省心

现在的LDO主极点一般在内部

如果是1uF外挂电容的话,主极点一般在输出端

Miller补偿可以把外部的极点推到很远,内部极点拉到很近。没Miller补偿的话,主极点一般在外部,非主极点在内部。

都加1uF了,那一般在外面

想知道1uf的CL,dominant pole还能在里面的办法!

管子size很大,cgd寄生很大,可能可以

1uF,在输出

1uF片外电容的等效串联电阻ESR是多大啊?

2-30mOhm


哪里写的?

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top