迁移率随温度变化特性是一个什么函数。

半导体的迁移率随温度的变化,主要决定于两种因素：一是晶格振动散射,二是电离杂质散射.
晶格振动散射将使迁移率随着温度的升高而下降（T的负二分之三次方关系）；但电离杂质散射将使迁移率随着温度的升高而增大（T的二分之三次方关系）.
对于一般掺杂的半导体,迁移率在不很高的温度下即开始下降,这是由于晶格振动散射较早起作用的缘故；但是对于重掺杂半导体,迁移率将要到较高的温度时,晶格振动散射才开始起作用,因此也要在较高的温度时迁移率才开始下降,并因此重掺杂半导体迁移率的温度稳定性较好（但重掺杂半导体的迁移率绝对值较低）

u(T)=u0*(T/T0)^(-a) where a is close to 1.5