《模拟集成电路设计精粹》中的一个问题。
时间:10-02
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大家好!
我在看《模拟集成电路设计精粹》一书,中文版。在17页,书中提到
gm/Ids约为4.2V^-1
我通过GM公式,以i=8为参数计算出来,然后推算gm/Ids,约为8.3V^-1。与书上的结果不同。
请问,我在哪个地方错了?
附图:
我在看《模拟集成电路设计精粹》一书,中文版。在17页,书中提到
gm/Ids约为4.2V^-1
我通过GM公式,以i=8为参数计算出来,然后推算gm/Ids,约为8.3V^-1。与书上的结果不同。
请问,我在哪个地方错了?
附图:
You are right. gm/Ids can never get that low.
When Vgs-Vt = 0.2V, gm/Ids is around 7-8
Correction :
If in ultra-deep submicrometer tech and Vgs-Vt is large, it could be that low
but in sansen's book, when Vgs-Vt = 0.2V, it can't be that low
it is about 8, means you are right
学习,多谢~~~~
再好好想想
这玩意从来没用过
Hi, feynmancgz
十分感谢你的指教!
2/4.2=470mV,这个vdsat确实有点大,可能写错了吧
应该是你理解的问题吧?
理解的问题
你再好好想想
小编看得很仔细啊呵呵
学习了
学习一下