1A同步BUCK电子负载短路时烧毁芯片
但是只要电子负载短路输出的话，芯片瞬间烧毁，后来在下管并联了一个1A的二极管，一切正常。
芯片内部处理短路保护的机制是这个样子的：VOUT<2V，上管和下管同时关断，等待24mS后，重新启动。
后来感觉是短路的时候，下管体二极管的放电能力不够，做FIB把短路逻辑调整下，只关上管，下管一直开着，
修改之后，14V输入短路保护都没有问题了，15V的时候芯片还是会烧毁。
有高人能帮我分析下么?谢谢了！
你能确定下是NMOS烧了还是PMOS烧了?是不是和电感电流有关系?换个电感值试试?
你的保护机制有点问题，你保护触发的是电压而非电流，所以负载短路时刻电感的电流远远大于1A，电感的能量全部由NMOS短时间消耗，故而烧坏。
建议加电流保护，或者电压电流同时。
正在开盖确认中，还没有结果的。
电流限制怎么做?短路保护一般不都是检测输出电压么?输出电压低到一个值就认为是短路，而在电压正常到电压下降到短路保护点这段时间，完全是OCP在控制电感电流的，对不对?
电压保护不是不可以，但是电源电压比较高就非常危险：1. 电压保护在 5V==》保护阈值的过程中，占空比会很大，导致Pmos管子开启时间长，电感的dv/dt 电流上升非常快，以至于导致电流远远高于你的设计电流。 dv指的是你的电源电压，这个斜率很大，电感电流增加的非常快。一旦保护开启，N管子就烧坏（大电流过NMOS的衬底）。 若外加保护二极管，则大电流大部分从外部二极管流走，从而保护了内置NMOS。
2. 电流保护可以镜像 pmos N：1， 采样 电压来比较，你自思考。
另外，示波器测一下电感的电流，你就会明白。希望你能贴出电流波形
很奇怪的是，为啥在下管上面并联一个二极管就没有事了
一开始我也是这么认为的，可是开盖之后，更加迷糊了。NMOS管没有事，PMOS管烧了
你标的地方应该是电流流过最大的地方，电流流的不均匀把管子烧了?
你标的地方应该是电流最集中的地方，电流不均匀导致管子被烧了?
你的Power MOS应该用的是1A的latch-up rule
实际你短路的时候电流恐怕远远不止1A。
感觉下关的body diode大电流导通导致内部latch up
你开盖提供很好的信息，该处的金属比较薄弱，大电流烧毁。另外即使该处的金属没有问题，也不能保证大电压功率管不被烧坏，做power的都会电流方案限流，不然怎么就能确定你的负载是1A，而不是2A。这个有讲究。
方便的话，贴出示波器电感电流以及 电感两段的电压波形，很容易分析的。
我猜是PMOS耐压问题
專業 同意你的說法
最后通过FIB，短路保护时把下管常通，另外OCP的点放到1A附近。此时带载能力大约700mA左右，但是短路保护正常了，输入电压再高也不会烧毁芯片。原因我现在还没有想明白，真的是latch up?我该从哪里下手?
另外附上烧毁芯片的关键节点波形。