可变电容仿真

我仿真电容的Q值的电路如上图所示，我是根据仿真电感的电路推出来的，不知对不对，我进行sp仿真后，提取Z参数，然后用虚部除以实部的Q，但是我得到的Q值才为12，电容的Q值不会这么低啊。还有我也是用这种电路仿得电感的Q值为52，应该也没这么高啊，是smic0.13的库，不知有什么问题，请各位高手给予指点。

我们仿真电感或者电容的时候一般是加一个50欧port（和你的一样），还有另一端要接地，用SP扫描S11，然后算出Z的虚部和实部，计算Q，一般130n工艺的电感在5G的时候是10多一点（当然这也看内半径和圈数），Q值52确实是高了点

你变容管Q不对是不是你给的偏压不对?这个我也不是很确定，没仿真过变容管的Q，但是变容管的Q确实是随偏压变化变化的

我记得看过一篇文章是不能接地的，因为接地后电感一端的寄生电容电阻就会被短路掉了，这样测得的Q之肯定偏高了。

我确实没有考虑给偏压值的问题，我好像就随便给了一个5v的电压， 那偏压应该给多少?有什么定偏压的值呢?

可变电容 5u * 1u 那容值會多大 ?

拿SMIC013跑了下，差分电感在5G左右的时候，果然Q是差不多有50，感觉比一般的工艺高不少

var的偏压看你应用场合了，一般是-vdd到vdd范围内，smic13变容管的Q我仿真出来也很低，还不到10，不知道是怎么回事..........

嗯，我问老板了，他说让我自己先把电感的版图抽后仿自己连接接地端建立个symble，在进行仿真，试试吧

小编，Q值仿真如何设置的

小编 ，你好。
我看到有些文章介绍，MOS型变容管按SDB的接法不同是分工作区域的。
但库里的这个变容管只有两个端口。
请问小编知不知道这个变容管是工作在哪个区域的?

还有，如果我用一个NMOS/PMOS来接成一个变容管的话，其性能和这个变容管会一样么?

竟然把我回的陈年老帖翻出来了.....
当年不明白的地方已经清楚了，SMIC13nm下电感按照早期的PDK model跑出来Q确实有50，感觉也不合理，结果实际tapeout出来后远低于这个值，会造成VCO输出的swing比设计目标的小，被SMIC坑了一把。不过后续更新的PDK把电感的model更新了就比较准了。

请问，图上的这种可变电容分正负极吗?