三星、英特爾、GF 都已經摩拳擦掌投入 新世代記憶體的 MRAM 和 RRAM
這個讓半導體巨頭紛紛投入的技術就是被稱為新世代記憶體的 MRAM 和 RRAM。
MRAM 和 RRAM 的特性為何，與 DRAM、NAND（快閃記憶體）相比，又有什麼樣的效能與成本優勢?讓我們從 MRAM 和 RRAM 兩項技術看起。 什麼是新世代記憶體?
MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻式隨機存取記憶體）是一種非揮發性記憶體技術，也就是當電流關掉，所儲存的資料並不會消失的記憶體。它自 1990 年代開始發展，這項技術在學理上的存取速度接近 SRAM，具快閃記憶體的非揮發性特性，在容量密度及使用壽命上也不輸給 DRAM，平均能耗遠低於 DRAM，未來極具成為真正通用型記憶體潛力。
而 RRAM（Resistive random-access memory，可變電阻式記憶體）同樣是一種新型的非揮發性記憶體，其優點在於消耗電力較 NAND 低，且寫入資訊速度比 NAND 快閃記憶體快了 1 萬倍。 從階層式記憶體的金字塔圖來看，SRAM 位於金字塔尖端，為最高階、速度最快，成本也最高的產品。其次為主記憶體的DRAM，MRAM 僅次於 DRAM，而 RRAM 則緊接其後，在 RRAM 之下的是 NAND，從此圖可以看出 MRAM 與 RRAM 的市場定位也正是介於 DRAM 與 NAND 之間
fromtechnews.tw/2017/06/15/tsmc-mram-rram/#more-261134
MRAM的密度上不去，目前能实现“量产”的只有Everspin。
台积电在15年的时候就号称16年能量产MRAM，但是现在也没见个影子，可见技术难点还没有攻破。
海康已经投资了13个亿在杭州建平台，号称预计投资50亿，但现在看来也是雷声大雨点小。
倒是Intel，确实黑科技满满，先推出了RRAM的量产产品，等国内上市了我准备去搞一块来玩下。
虽然理论上RRAM在写入寿命和速度上不计MRAM，但是MRAM已经玩了快20年了，密度上不去，还是玩不动啊。
Intel 與Micron 攜手推出新種類記憶體3D XPoint
新晶片中的「3D XPoint」技術是 25 年來記憶體晶片市場上首次出現的主流新技術，速度比目前市場上的快閃記憶體快 1,000 倍，這種晶片可用於行動裝置儲存資料，同時被越來越多的電腦使用。
美光總裁馬克·亞當斯（Mark Adams）在聲明中表示：「在現代電腦中，最大的一項障礙便是處理器在長期存放裝置中找到資料的時間太長。這種新的、非短期的記憶體是一項技術革命。它可以快速存取巨量資料集，支援全新的應用。」
長期以來，儲存裝置的速度和容量都是電腦的最大瓶頸，即使在 SSD 硬碟已經普及的今天也不例外。為了硬碟的速度，我們搞出來 Raid 0，從機械硬碟進化到快閃記憶體盤，但是儲存裝置本身的儲存速度還是慢慢進步的，英特爾與美光搞得這個革命性的東西是什麼呢?為什麼會快到如此地步呢?
新儲存晶片是一種多層線路構成的三維結構，每一層上線路互相平行，並與上下層的線路互成直角，層與層間的有「柱子」似的線在上下層的交錯點連接。
橫向的層是絕緣層，每根「柱子」分兩節，一節「記憶單元」，用來存資料，記憶單元能儲存一個比特的資料，代表二進位碼中的一個 1 或 0；一節是一個「選擇器」，選擇器允許讀寫特定的記憶單元，通過改變線路電壓來控制訪問。
現在有意思的就是這個「記憶單元」，它不是電晶體。這意味著和傳統快閃記憶體完全不同，所以他才能有更大儲存密度，更快的速度。
但是它是什麼?用什麼材料?英特爾與美光打死也不說，我們只能推測。
其實，不用電晶體的儲存裝置，這些年一直在搞。cross-point 架構捨棄了電晶體，採用柵狀電線（a latticework of wires）電阻來表示 0 和 1，高電阻狀態時，電不能輕易通過，cell 表示 0，當處於低電阻時，cell 表示 1。
這種用電阻差異來存資料的東西叫電阻式 RAM（簡稱 RRAM），三星、SanDisk 等巨頭都在投入，但是真正接近實用化的是一家名為 Crossbar 的創業公司（首席科學家是個叫盧偉的華裔），它在 2013 年推出了郵票大小的 ReRAM 產品原型，它可以儲存 1TB 資料。2014 年已經進入準備商用的階段。Crossbar 的架構圖和英特爾、美光的這個 3D XPoint 的架構圖就很接近了。