pnp做的带隙为何比npn做的带隙的温飘系数反而好？

仿真还是流片结果?具体描述一下结构吧，PNP的是MOS对管输入?

pnp是温漂好些，npn在mismatch上表现更好

温度系数仿真好像意义不大，10ppm以下的基本都要采用特殊工艺或者修调手段了

反正带DNW和高beta npn的，基本都主要用npn来做bandgap，我跑过一些架构的蒙特卡洛仿真，1%的相对误差，50ppm很容易就达到了，问题是封装的应力还要考虑

一般 TRIMLESS BANDGAP 是如何做到?

一般来说bipolar model 没CMOSMODEL一堆参数 ,gumma pole model
会准吗?
VBIC 好像是RF 使用
model , 还是说
不须要TRIM 的电路有针对 offset做
cancel 掉 , 还有
封装一般说法会差 6mv , 如果做到
几ppm 内难到使用 e_fuse 方式 Trim ?

thank you .

NPN怎么调都只能到100ppm。
不知从哪里开始入手研究了。

bipolar本身的失配就比MOS要小，model结构简单精度高。TSMC的bipolar model应该是准的，那个数据是在一片wafer上测出的，
没考虑到切割后封装应力的影响，面积大的芯片应力的影响小些，将来EDA技术发展了说不定可以提取这个封装和bonding的参数，然后添加到蒙特
卡罗仿真里面去

还是不是很明白npn的那些参数决定了它的性能要好些，或者那些要不好，同样pnp也是，各位大牛，有资料分享没?