SMIC工艺里面,这几种mos管,有什么区别。
时间:10-02
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// *|mosfet type|1.8v|3.3v|
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// *|nmos|n18|n33|
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// *|pmos|p18|p33|
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// *|native nmos|nnt18 | nnt33|
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// *|medium nmos| nmvt18 | nmvt33 |
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// *|medium pmos| pmvt18 |----|
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// *|mosfet type|1.8v|3.3v|
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// *|nmos|n18|n33|
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// *|pmos|p18|p33|
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// *|native nmos|nnt18 | nnt33|
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// *|medium nmos| nmvt18 | nmvt33 |
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// *|medium pmos| pmvt18 |----|
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顾名思义,vt不同
恩,就是vt不同,然后18表示应用在VDD是1.8V的设计中,33表示3.3V
比如n18或p18是最常用的,表示normal vt nmos管或则pmos管
medium就是medium vt 的管子
这些在PDK的文档里都有解释的
谢谢。PDK里面,还是不是很详细。我不懂n18(nominal VT 标称阈值),nnt18(native NMOS)有什么用啊。还有medium VT,这些不同型号的mos模型,应用领域有啥区别。
可能你现在还没遇到使用非正常Vt晶体管的情况,正常1.8V供电电路都是使用n18或p18的管子,在某些特殊情况,比如你希望管子很容易开启,那就要选择低阈值的管子,这样Vgs就更容易超过Vt。各种不同型号管子的Vt具体有多少你仿真一下就知道了。
native device 是没有经过离子注入调整Vt的,Vt接近于0V,在对headroom要求很苛刻的时候可以考虑使用。但是这种管子的leakage很大,variation也比较大,所以关键电路中需谨慎使用。
学习了
这些东西pdk的手册里面没有哦 学习了还请您就这些不同类型的管子的特点 再多讲一些吧
虚心求教
学习了
NATIVE是零阈值管在IO用于特殊场合 例如IO中的level UPshifter
正在学习SMIC 0.18um 工艺。
把pdk中的 model manual看一遍就知道了,很详细
谢谢分享。
manual ....