offset与mismatch是一个意思吗？
offset一般相对器件的参数而言，mishmatch相对电路而言
感谢楼上。
我们一般讲输入失调电压，这个失调叫offset，就是理解为偏移，对吧。
mismatch是失配的意思，可不可以理解为mismatch引起了offset。
mismatch是因，offset是果。因为器件参数的失配，偏置电流源的失配，等，引起了失调（offset）。
offset 失调； mismatch失配
offset是输出电压为0时的输入电压，mismatch是电路参数的不匹配。
mismach引起offset。但是当mismatch为0时候，也可能存在offset的。
design ok下可能 offset 很小
但是 layout 沒layout 好可能 mismatch 會大
拿 mos opa input stage 來說
要 a/ (w*l^0.5)
INPUT STAGE MOS W*L 大下
input mismatch vth會降低
請看 foundary 提供的 report 有資料
就我浅薄的理解，offset是失调电压的那种失调，而mismatch是电路参数不匹配，是失配~两种不一样
offset是结果，mismatch是引起这个结果的多种原因之一而已。
谢谢，学习了。
1# 小草
random offset is cause by mismatch
layout时size要大，方向一致能减小mismatch
mismatch及电路不对称能引起offset
”offset是结果，mismatch是引起这个结果的多种原因之一而已。“
同意之。 又如dcr的 dc offset， 就是本振泄露产生的
good explanation
12lou jie shi de hao
额。好专业。
如果是 op amp offset
分 symantec offset 會是因為電路設計不當..
一般 會對 mos的 w/L 會匹配 ..
可看台灣 吳介棕 老師的 slide 有提過 .
對 differential input pair 來說, active loadVgs=Vds (接diode 那顆) = mirror那個 vds
此ｖｄｓ 和 output mos 一樣時 會 offset 小 .
但是一般設計 2 stage opa 會拉大最後一級 driver 能力往往讓 offset 變差.
另個當你電路做好
simulation 完全看不出offset下
還有 process 和layout產生的 random offset .
layout match 只是必須
但是 input mos 使用 W/L 小
會比較ok
如果拿０．５ｕｍ ５ｖ ｄｅｖｉｃｅ
5/1sigma_Vth =3.4mv
20/1sigma_Vth = 1.73mv
20/5=> nmos 是 0.972mpmos=0.832所以 又發現一點 , pmos 會比 nmosoffset 小..
40/1=> 1.606
但是同樣 input 如果 w/L 本來是 5/1 sigma_Vth =3.4mv
, size 放成 40/10sigma_Vth => 0.54mv ..
可以看到 W/L 拉大會改善這些ｍｉｓｍａｔｃｈ 是ｆａｂ 提供資料
simulation 是看不出來的 .
Hi volt20/3sigmaVth =16mv ==> 看到沒再發現一點 高壓元件的 offset 是 低壓 9倍多 .
20/5 => 9mv
高壓的 因為 oxide厚 process varion 本來就差 ..
谢谢分享
受教受教
但是一般設計 2 stage opa 會拉大最後一級 driver 能力往往讓 offset 變差.
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为什么拉大最后一级驱动能力会使得offset变差捏?
搭车同问
，，，，，，，，，路过
Offset:
1. Systematic Offset: may caused by circuit's umsymmetric, eg, 2-stage opamp;
2. Random Offset: caused by device's mismatch, including etching/doping effect, and imperfect layout routing, etc.
有没有资料共享一下
受教受教~
高手 能不能讲讲offset怎么算啊?或者直观看出来?
thanks for share
nice...
XIE XIE
Thank u very much
学习了！