微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > RFIC设计学习交流 > 门特卡罗仿真时,落在各个工艺角下的概率是一样的吗?

门特卡罗仿真时,落在各个工艺角下的概率是一样的吗?

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
门特卡罗仿真时,落在各个工艺角下的概率是一样的吗,还是说落在TT下的概率最大?

正态分布

可是工艺角有4个方向,那么这正态分布是怎么分布的呢?

NMOS,PMOS都具有正态分布,你可以画个坐标,工艺可以对应到这个坐标里

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top