对于不同foundry厂的相同工艺,有什么异同?
不同foundry就不能成为相同工艺,只是特征线宽一样,其他参数几乎没有一样的。
明白。我是想问,在设计某款芯片时,比如从出于成本角度考虑,特征线宽已经确定了。那对于相同线宽的不同foundry工艺,在确定应该采用谁家的过程中,那应该从哪几个方面入手呢?
打电话给各家ce,问报价。
一般选哪家不是你能决定的,不过如果真能决定一般也选性价比不错的,比如台积电的工艺时很不错的,然而费用自然就高,这就和买东西差不多道理吧。
我真的很无奈虽然作为一个新人这样说很不礼貌可是我问的根本不是你们回答的呀难道我问题表述的这么有问题?那这样问:您在看两种相同线宽工艺的.lib文件的pdf(对各种器件说明)文档时,您主要关注两个pdf文档的哪些不同之处呢?
良率 , ESD performance , 甚至 design rule 都不同.
MOS 的 IV curve 雖然不同, 但是 不同 foundry 的tt corner 的差異可能小於同一工藝的 tt/ss tt/ff corner 的差異.
如果只管 tt corner , 那大概把 ESD solution 換一換就好了.
但是如果你要調到所有 corner 都過, 電路要改的地方就多了.
其实还是价格决定一切。
doc上看不出什么大的区别,只有很细节的数据比如u0的variation,金属密度的window,也没有那么明显的影响。主根据你的需求来看,比如耐压,工作温度,需要使用的器件(如zener cpip native_mos等等,有些foundry的工艺没有),功率大小(是否要用bicmos或bcd)。如果都差不多就比成本,良率(也是成本的一部分,这是个经验数据,问用过的人才靠谱。)很多时候其实是为了节约成本退而求其次,比如用moscap代替cpip。所以成本是主导因素。
你还在学校吧,没有对比工艺的必要,老板说用啥就用啥。
说得对,其实就是成本和具体操作起来有没有内部关系(熟人)
恩谢谢您您的回答让我明白了不少是老板说让我多了解对比些这方面的知识说对今后的设计工作很有益我平时就注意 最大可以使用的端口耐压沟道长宽最小最大值范围区间Vth在不同工艺角下地分布情况不同器件仿真时,工艺角名字之间的差异电阻的温度系数和电压系数然后我就以为我是不是漏了什么重要的东西?所以老板才这么说我的。
能详细说说关于工艺制程选择吗?高压制程的话都需要考虑哪些因素呢?有没有参考的资料,特别谢谢