体效应与沟道长度调制效应

本人刚接触拉扎维这本书，在做课后习题时遇到以下问题，想请教给位大牛们。图中VDD=3VVx从0变化到1.5V请画出Ix的函数曲线。

（1）（a）中因为存在体效应和沟道长度调制效应γ和λ 不等于0但在（b）（c）（d）中为什么 γ=λ=0 了，难道就不存在体效应和沟道长度调制效应吗?

（2）体效应的原因：源级与衬底的电压不同而引起了。这样理解对吗?
(3)书上说当栅和漏之间的电压差增大时，实际的反应型沟道长度逐渐减小，就出现的沟道长度调制效应，那在什么情况下需要考虑沟道长度调制效应了?

bonding

1、bcd中符号表示衬底和源接一起，这样子就不存在体效应，因此gamma为0；莱姆大为0，可能是忽略了沟道长度调制。
2、你的这种说法是对的。不过从公式上来看得话，衬底相当于背栅，就是和gate栅极作用相反的一个伪栅极，它和gate栅都对沟道反型程度有影响。
3、短沟道MOS中。准确地讲，是Vds在增大的过程中，由于沟道纵向（垂直于gate）电场的不均匀分布造成的，对应与bjt的俄雷效应。

谢谢大牛的回答。bcd是忽略了沟道长度调制效应但在真正是设计时，是不是只要MOS管处在饱和区都要考虑沟道长度调制效应的影响?

非常感谢，最近刷题也有相同的疑惑！

ee140里面讲的是，当L够长，还有电荷n够小时可以不考虑沟道长度调制效应。bcd中的Vds都比较小，因此沟道长度调制效应可以忽略。但是体效应为什么可以忽略我感觉我还是不清楚

您好，我有一个疑问，为什么bcd中的符号表示衬底和源级连在一起，这里面有什么学问么，需要看哪本书呢，感谢您的回答

学习学习

大牛解释的很棒！马上懂了！多谢！

拉扎维的书上讲的比较清楚，衬底相当于“背栅”，当衬底和源极电压不一样大时，会吸引会释放一部分电荷，也就是影响反型层电荷的量。当衬底和源极电压一样大时，就不会影响电荷量，也就不会影响阈值电压