关于MOS管的沟道长度效应的问题

在拉扎维这本书的习题答案中，作者很多时候在使用triode区的Id公式时，喜欢把（1+λVds）乘上去。这个（1+λVds）不是考虑沟道长度效应的时候才有的吗?而且只有饱和区才会有沟道长度效应的。拉扎维《模拟CMOS集成电路设计》的习题3.8和3.25都是这样的，这种做法是正确的吗?

习题3.8

习题3.25

自顶一个

小编还在纠结这个问题呀。 这个东西可以在理论推导里带上计算，但你要是真去算W/L，一般是不考虑的，因为lamda很难提取，而且极其不准。一般都是先算个大概尺寸再慢慢调。我是这么理解的，反正目前我做的东西都不去计算lamda，而且当L〉1um时，调制效应不是很严重。

那看来你没有读过Sansen的那本书了。

能再说详细点么?可能我说的不对，我目前也刚开始干活不久。但我目前确实是选大的L，来避免mismatch和modulation

L取1um以上是可以不考虑了。另外，在固定L的情况下λ也可以认为是不变的，所以先确定L，和最常用的W，通过仿真IV曲线可以提取λ。

我不太明白的是作者为啥在triode区的漏电流公式里加上1+λVds，理论上公式不是这样的呀。是为了使triode区的曲线与能够与sat.区的曲线连续吗?感觉不加1+λVds的triode区漏电流公式才是正确的，因为有公式的推导。加1+λVds感觉是为了与sat.区的曲线连续起来，方便计算和分析。是这样吗?

我不太明白的是作者为啥在triode区的漏电流公式里加上1+λVds，理论上公式不是这样的呀。是为了使triode区的曲线与能够与sat.区的曲线连续吗?感觉不加1+λVds的triode区漏电流公式才是正确的，因为有公式的推导。加1+λVds感觉是为了与sat.区的曲线连续起来，方便计算和分析。是这样吗?

你去查level 1shichman-hodges模型，再饱和区和线形区都是由1+lamda*Vds的。具体为什么我不清楚。

嗯嗯，好的，谢谢！

学习学习

看kan

小L器件都要考虑