pmos饱和条件

一样啊。
|Vds| > |Vgs|-|Vth|

Vdg<Vt(绝对值)

呵呵,书上有啊

Vs-Vg+Vth<Vs-Vd

二楼说的： |Vds| > |Vgs|-|Vth|
与NMOS的相比，全带个绝对值就行了

cool info. thanks

哦谢谢啦

请问电流公式里面的相关项也是要加绝对值的吗?

是的，加绝对值只是为了统一理解，不过最好知道N管和P管的区别：
N管：Vdsn >= Vgsn - Vthn >0
P管：Vdsp <= Vgsp - Vthp<0
加绝对值后， |Vdsn| >= |Vgsn - Vthn| >0;
|Vdsp| >= |Vgsp - Vthp| >0;
所以就行了

谢谢

全部加一个负号就可以了

MOS管饱和条件：VDS>VDSSAT！
一级模型条件下：VDSSAT=VGS-VTH. SPICE仿真结果，可能VDSSAT<VGS-VTH，也可能VDSSAT>VGS-VTH. VGSeff=VGS-VTH大小确定饱和区状态，亚阈值，强反型，还是速度饱和。
zwtang
01/12/2012

zzzzzzzzzzzzzz

带绝对值。LZ灌水来的吧?

nmos 绝对值

大神，幸亏有你，书上也没提，要不然好多的题都搞不明白。就说相反，也没说哪里相反，我自己怎么能知道?

一想起这个，我就得再次感谢你。

谢谢，学习了

和nmos一样的

有灌水嫌疑。拉扎维的书里有提到，在P19里提到VD-VG<|VTHP|， PMOS饱和。

都是栅漏电压与阈值绝对值比较，NMOS为正，PMOS为负

谢谢，非常感谢啊

2楼解释的清楚