疑问：nand flash 怎么对每一位进行读取？

我们都知道nor型flash 可以访问每一位，所以可以对每一位进行读或写。但是nand结构中每个单元串联构成一个页，而写操作的话是改变衬底和栅的电压即可，可是我怎么想不通怎么读取每一页的数据，
因为串联，所以如果每个单元的由于存储数据导致阈值电压不同，而他们又是串联，怎么读。网上查了半天都是说算法实现。（纠结）
还请各位大神指导

终于知道了，vpass和vread ，读取某个单元时加vread其他单元栅加vpass，从头到尾顺序读出每个单元的存储数据到寄存器，然后按需要的地址读出需要的单元数据。

一页上的cell并不是串联的，一个bitline的cell是串联的