0.18um工艺下如何计算管子的尺寸啊

一般情况下bsim3 model对于小工艺还是比较准的。如果只是让管子工作在饱和区，用Level1的vds>vg-vth应该已经够用了，当然需要有足够的空余量。不知道你的具体电路是什么，所以也不好说，也许是vdd太低，导致headroom不够用?
1# goodstudy1

得先說電路
如果 VCC 只有 1V 但串很多個
那當然會可能有的進 LINEAR 區

2# sisomso
在下现在用的是0.18um工艺的技术，但用MOS管的经典电流平方率公式算宽长比的话得知道迁移率和栅氧电容的乘积相值，不知道这个乘积相的值如何算?或者经常用的经验值是多少啊?短沟道电流公式大家都用的是哪一个啊?还用不用那个平方率公式啊?
谢谢了，在下现在很迷茫...

估算的话，就用最简单的平方率公式就可以，连(1+lambda*Vds)项都不用带的。u*Cox项，貌似bsim里有u0项，可作为u的估算数值；Cox=εox/tox，tox的值bsim里也有的，εox是个常数，Allen教材中文第2版60页有，自己计算一下就出来了，注意一下各个参数的单位就行了。
个人觉得估算没必要精确，有个30%的误差都很正常，其余的工作要考仿真来调整了，当然，前提是设计是正确的。手工计算用很少的工作量完成了大部分工作，剩余的小部分工作却需要很大的工作量。给你发一段Allen教材的内容作为参考吧：

最基本的仿真就可以了吧，
拿个管子出来，仿一下I-V曲线，就可以得出lambda，k，vt和背栅效应几个基本参数了，
再带进去算算不就知道了
看model太麻烦了吧，而且现在的model都不是基于行为仿真了，

0.18um，基本公式还是适用的。只要电压也是1.8

用gm/id方法进行设计，参考Stanford的EE214 handout。

受用呀！

学习 谢谢

好问题，给你点赞，谢谢

说的非常有道理，谢谢分享

是的，小编，您说的有一定的道理

是啊，非常受用，谢谢各位的讨论了

受教了，谢谢大家的讨论，我非常的开心，

你的字体怎么都是繁体字啊?

我大师兄搞这个非常的厉害，电子迁移率乘以单位面积的电容，就是这两者的乘积，作为nmos时，是350，L=1um,作为pmos时，是80，L=1um，两者都是在栅宽是018um时，这是个经验公式

说的有一定的道

学习学习