带隙基准设计时，运放的正、反输入端一直都不能相等（不是失调电压的影响）

大家好，最近刚学设计bandgap，看了网上的一些资料，准备先调一个简单的bandgap，如下图所示。其中的运放已经调好了，在输入共模电平500mV~2.5V之间（电源电压5V），增益都可以达到100dB以上。带宽很小，只有几百K。在输入共模范围为700mV的时候，其增益和相位裕度、带宽如图2所示。设计好运放后，调bandgap时，我是先仿真出了所用PNP管的V_I曲线，根据PNP管的V_I曲线选择合适的电流，再去计算R1和R2的值。现在的问题是，无论我怎么调节M1、M2的宽长比，运放正、反输入端一直都不能相等，根本没有办法钳位。因此不能进一步调节bandgap。大家在设计的过程中有遇到这样的情况吗?

图1

图2

运放接反了

厉害！现在正常了。用计算出的R1、R2的值，试了一下，温度系数：22.2ppm/℃。再优化一下。但是我想不明白为啥运放的正负端接法会对PTAT型带隙基准有这么大的影响?

Q2较大，因此其Vbe较低。 =>在启动时节点B电平较低（不等于节点A，除非BG正在工作）。 =>连接时，opamp输出停在高电平。
在任何情况下，无论电路是否正确，BG都需要启动帮助（模拟可以始终启动，但不是真正制造的电路）。

书上都有写，仔细看看书，全都搞清楚了，能大概手算了，再去搭电路，仿真一下，看下你算得差多少，得有个方法能大概估计出结果，要不你就靠试取设计了。
这个原因是因为你接成正反馈了

我就是通过手算来调的电路。先仿真Q1、Q2的V_I特性曲线，取一个合适的PTAT电流，看Q1、Q2的Vbe差值，可以算出R1、R2。用工艺库的电阻，各个工艺角的温度系数为6.6-11ppm/℃。做之前我看了何有年的红书，没有看到关于描述运放正负接法对其的影响，所以忽略了这一点。现在明白了。谢谢你！

现在懂了，谢谢你！