为什么设计的管子不能在亚阈值区

亲爱的朋友们：
请问我们在设计电路的时候，为什么不让管子工作在亚阈值区?
sensan 的书上说到电流和电压变得很小，噪声很大，电路速度很低。
但我看了很多关于OTA线性化的paper，一些管子是需要亚阈值区的，请好心人帮忙解释下哈
谢谢！

在亚阈值值区可以获得很高的直流增益，如果对速度要求不高，但是需要很高增益，一般设计要考虑在亚阈值工作。

个人觉得亚阈值区增益也不是很大，因为跨导和电流成正比（gm=id/(nkT/q)，对于输出电阻，即使处于饱和区rds=vE*L/ids，增益也与电流无关.
可能是因为工艺偏差和温度变化大

MOS处在压阈值性能波动比较大，和corner变化，temp变化，Vth0等变化有很大关系

有道理，谢谢！

学习了，谢谢

现在要求功耗越来越低，工作在亚阈值区很常见啊

在学术论文上经常出现亚阈值区的电路，但在实际应用中，这种电路不稳定

ch_00776，
你能解释下为什么工作在亚阈值区就不稳定呢?

应用在亚阈值也很多，但是一般是速率不高的采样和基准或者判别比较电路。

打个比方亚阈值的基准电路可以做到电流100nA以下！确实很省功耗。

现在的Gm/ID 技术不就是针对这种情况的提出的

国内的smic工艺设计的管子在制作时往往有较大误差，台积电的相对稳定，所以一般只在论文出现亚阈值，并且亚阈值电流小，功耗低，跨导小，噪声大，增益小

谢谢你
亚阈值做开关我觉得可以，做基准电路的话，请问做PVT了吗，不知道电路在工艺变化的情况下，稳不稳定

可以在亚阈值值区

为什么呢?请说说

做基准源来说~如果用传统的三极管结构往往由于电流太小而导致电阻过大~所以工作在亚阈值区的电路往往都抛弃了占用过大面积的电阻~使用晶体管自身来实现正负温度系数~但是晶体管受工艺影响很大~导致在各种浓度下输出电压偏差很大~所以说亚阈值电路不稳定~

谢谢你，请问您在哪里上学或工作，方便加QQ吗?

工作在亚阈区没法获得高增益，虽然Id随vds指数增长，但绝对值小。
在匹配上来说亚阈区的误差大。

谢谢你的回复，为什么说在匹配上有较大误差呢，能详细说说么?

我的理解是，相对饱和区而言，亚阈区Id对Vgs敏感，工艺上的偏差会导致较大的匹配误差。
同时，噪声问题也会更突出一些。
而且，亚阈电路的跨导小，速度慢。

谢谢，学习了！

是啊，低功耗比较器的输入对管就工作亚阈值区

亚阈值的工艺偏差会很大的

如果只说是工作在亚阈值状态，其Vgs与Vth的差值应是多少，根据什么来判断呢！

亚阈值的管子所需要的过驱动电压小。

学习了！

亚阈值技术已经应用到sram中，关于亚阈值会使速度、性能降低，可以通过降低阈值电压来弥补，但降低阈值电压会使泄漏电流升高，所以可以找出一个最佳工作点，满足功耗和性能（中低性能）的要求，关于稳定性可以慢慢弥补，毕竟功耗大大的降低还是最关键的

，讨论的真好。

既然亚阈区Id对Vgs敏感，跨导怎么会小。