Multiplier和Finger的区别和优劣讨论
我电路上都用的M,不用Finger,画版图的时候为了省面积,能share source/drain的都share了,比较随意
虽然整体上Width是相同的,但是实现结果是不同的(前提是原理图的版图严格对应);对某些模块的设计中,finger是有最佳值的,比如PA,JSSC上有文章提到这一点的。
如果比较关键的电路还是多考虑一下吧。
finger 最佳
why?
用muti也可以手动share source/drain,效果岂不是和finger是一样的,而且multi的摆放更加自由。
用hspice设计只有改M,
用Tanner画版图,S/D全share。只根据rule来。
貌似我太低端了。掩面。
学习 置顶
个人觉得如果电路没什么特别的要求,只要满足W/L即可。M和F在画版图的时候会体现出差别。
仅供参考,欢迎拍砖!
貌似M和F值有些寄生参数不一样吧 不过具体怎么回事我也不知道,有哪位大神能解释下吗?
hi 你可以提供者篇文章吗? 或者把名字告诉我? 谢谢
LZ有文章嘛?给我来一份QQ1003316725多谢
文章在哪?
弱弱的问下,hspice 仿真时,认finger值还是m值?
个人感觉一般用M精确一点,所以用在电流镜放大,共模反馈匹配这些地方,而且画版图是需要加dummy,用的是Multi的话可以少占一些面积。finger会有一些晶体管的相互作用,所以finger的值并不是真正的值,好处是版图比较好画,不容易报错.
采用M和Finger得到对应相同的宽度以及偏置相同时,电流特性有些差异,从参数来看,finger的细分会导致宽度调制效应更加明显,影响阈值电压的变化而且对P管和N管影响趋势还不太一样
知其然知其所以然,就能知道multiple和finger的差别,随心所欲恰到好处的运用
前辈给仔细科普一下到底是什么差别吧
.1um以下的工艺,m和finger大概有10%~20%的区别。
如果说finger是源漏共用
multiplier是独立
那么问题来了对于采用质心匹配的差分输入对管
aabbaabbaabb
bbaabbaabbaa
1、finger=2 m=6
2、finger=6 m=2
哪个才是正确的呢,理由是什么,求教
仿真测得是第二个
关于尺寸的选取,这篇文章讲得很清楚了"A High Efficiency Si-CMOS Power Amplifier for 60 GHz Band Broadband Wireless Communication Employing Optimized Transistor Size"
http://ieeexplore.ieee.org/stamp ... mp;arnumber=6101799
学习了。
严格来讲,m分开放,可以方便的进行eco;而n为管子共享,据前辈讲,对esd性能有改善。
学习了,65nm工艺仿真得到电流镜finger要准确
越看越糊涂le- -
fw大会导致gate res增大,finger大会导致source inductance增大,他们都会降低增益
在HSPICE中能够用finger吗?好像只能用m。
是啊,只有m。
有些模型可以指定nf(number of finger), 但是有些模型不支持,比如BSIM3,就不能指定nf。但话又说回来,好多工艺库的模型都是BSIM3,巨坑!
但是hspice的仿真结果更精确。所以适当取舍吧。
看看文章。