电流镜漏端电压不一样导致漏电流不能镜像，如何解决

一般是加cascade管

L>1um , 甚至更大,Let Channel Length Modulation Effect 變小.

我尝试过增大L,但其改善效果好像并不太明显，是不是我的工艺尺寸较小导致二级效应在普通的电流镜中难以克服呢?

If the voltage margin is enough, try cascode; else, decrease the vgs(work in sub-threshold region).

加cascode管，哪怕共栅管是工作在线性区，效果都是不错的

你的输入对管vgs太大了吧? 670mV?
如果你实际的Vin,cm就是800mV，那么最好加大对管尺寸
如果共模电平可以提高 就提高
不然你再怎么加cascode和L都不好使

谢谢您的解答了，确实提高共模电平和增大输入对管尺寸，电流镜中的两个MOS管电流的匹配性会变好很多，这两种方法目的应该都是来提高尾电流管源漏端电压使之与左边的管子更接近，不知我是否理解错了。然后我想向您请教一下，如何将一些教材中的设计案例用先进工艺来实现，它的一些计算宽长比的方法对于40nm,28nm是否还有参考意义呢，如果不适用，请问您能否给我一些在低电源电压下模拟电路设计的建议，谢谢了

cascode