SMIC180工艺IO设计，遇到个问题（见帖子内容）

要设计一个IO电路，使用3.3V CMOS器件，要求PAD端具有5V tolerance输入。现在的做法是在Schmitt输入端用NMOS作为开关管，NMOS栅极接3.3V电压，由于NMOS传递高电平会有一个阈值电压损失，因此Schmitt输入端电压理论上为NMOS开关管栅极电压减去一个阈值电压。但是仿真结果显示typical下Schmitt输入端电压仅有2.23V左右，要求Schmitt高翻转电平为0.6*VDD=0.6*3.3=2.31V，可见Schmitt输入端电压达不到高阈值。
不知该如何解决?谢谢！

我也不清楚，帮不到你

建议搜索这方面的专利电路

在输入IO上串接几个正向二极管?

Hope this will help you

衬底效应增大了Vth

谢谢分享