带隙基准求助~

自己先顶一个~求高手指导~

参见你们学校老师出的《CMOS模拟IP线性集成电路》一书对此种自偏置reference有比较详细的讲解

你这个电路图好像有点问题，中间那个PMOS和Bipolar形成了一个正反馈

电路结构没问题，
总体上还是负反馈，
只是要调节好参数，
三极管的B极电压应该要为1.25V左右，
这样温度系数才好。
还要加频率补偿，否则可能震荡。

先去掉中间的mos和中间的电阻，然后bipolar的base加一个偏置电压，那剩下的电路就是一个温度无关的电源（前提两个bipolar的比值和电阻value选择合适）。那其实中间的mos和电阻只是起一个偏置作用，不影响电路。因为你的bipolar是npn的，所以ptat输出要在下面，按说比例应该有问题吧。一个是-1.5 一个是0.087 应该 设置成1:7的电阻?你仿真情况怎么样?

电路没有问题，主要修正曲率参数。
VOUT={[2(VBE2-VBE1)*R2/R1 + VBE2]*2/R8}*R7.
里面的系数对应电路的INSTANCE name.
另外可以做个闭环的AC验证，看看闭环的相位裕量是否满足要求。

按说这样算是没有问题的，现在的问题是电路启动不了~为什么呢?

输出管应该是copy中间管子的电流，所以还是觉得7楼的说法有道理，但是现在的问题是仿真结果和推导严重不符~电路根本启动不了，

电路应该不会有错，这是一款芯片里带隙基准的核心电路~

假设两个NPN的基极电压增加，右边的负反馈环路比左边的正反馈环路更强，所以整体还是负反馈！

加个启动电路吧，用个P管，源接电源，漏接NPN的基极，栅极接一个偏置支路，偏置支路的电流直接copy主电路的，电压用几个NMOS二极管接法。这就可以了。

问题有两个：
1. 电路的电流镜搞错方向了（diode 连接应该左边构成负反馈）
2.PM8做为bip基极偏置，但是严重影响了PSR。因该改换N管。
小编菜鸟，贴图抄的错了：）

关于第一个问题，和我的想法一样，但是无奈这是一颗芯片的版图得到的，不能轻易改~
关于对PSRR的问题，还请不吝赐教~thx~

your BG voltage is voltage at the base of transistors. This is a BROKAW BG (you may search for it in the internet). Observe voltage at the Bipolar bias points and you will find it is being equal to BG and zero TC (if you set the resistor values right).
Your circuits output is temperature dependent i.e. PTAT so not a BG voltage. Because current at the p-ch current mirrors are (Delta-Vbe)/Rrelated so PTAT, mirroring it to R& will result PTAT reference, not a BG.
BG circuit needs a start-up circuit to properly start. Again search for it. Analog design books have explanation of it and simple sample circuits.
Good luck！
你的血糖在晶体管的基极电压的电压。这是一个布罗考保函（你可以在网上搜索）。观察电压双极性偏置点，你会发现它正在等于BG和零训练班（如果你设置正确的电阻值）。
你的电路的输出是随温度变化的即PTAT不是一个保函电压的。由于在目前的电流镜的P-CH（三角洲VBE）/所以PTAT，反映它的R＆会导致PTAT参考，而不是一个保函。
BG电路需要一个启动电路正常启动。它再次搜寻。模拟设计的书籍，有它的解释和简单的示例电路。
祝你好运！

小鬼. 别迷信反向的电路。因为你不知道人家用的何种公司！如果人家用的耗尽型的，会害死你。电路是要脑子分析的，别让反向设计思维贻害你一辈子。
我教过很多年轻工程师，也遇到死脑筋的和你一样，一问，做反向出来的。电路笔记本上一堆，结果都不知道所以然。劝你要有自己的想法。
回到这个电路：
电流镜接反了很明显，难道你不改变?如果不改变，你永远也启动不了。或者启动了没有镜像关系（线性区）。我没有仿真它，一看就是这个结果。你不信自己去验证。
2. PM8可以是N管，你可以在power加ac比较一下结果自己就得到。
原因很简单。这个电路其实输出不是vref，而是一个热电压Vt的倍数。估计做温度传感之类的。如果是基准电压，输出应该是bip的基极节点。
结构简单，是brokow。

p.s.
输出可以近似电压基准@bip 的bata很大的时候。

比较有意思的一个电路 ，PMOS都是倒比的，可以玩玩儿。
图中电阻调大后，电路可以启动 但震荡的很厉害，小编是不是把补偿电容给丢了没画?
若按照16楼所说，将电流镜反接，电路可以启动，但取值与图示电阻相关。

不會動是不是有可能是你沒有加啓動電路的緣故?

如果是启动不了，先加个启动电路试试，以前做过一个相似的，记得有启动电路.

關於#13樓提到的 psrr 會因為 用pmos (M8) 而變差的原因為: 在 VDD 端的 noise 會透過 CGS8 couple 到 M7 的 gate 端, 對m7那一路而言可看成是一個單端的common source 放大器, 所以最終會把 VDD noise 放大到 VBG
這個電路是產生 VREF 沒錯

这个电路有问题，7#的公式推导也有问题，请好好分析提取的线路，鉴定完毕

电路没问题，需要加启动电路，

这个电路完全没有问题的，这是经典的Brokaw BG结构。可以参考相应资料。可以看考mora那本书。
Q1的Base点就是BG的输出，如果调节R1与R2的比例，就可以得到1.2左右的Low TC基准输出。至于原图的OUT点作为输出，是因为想得到更低的基准电压，所以做了一个8K/120K的衰减，最后输出80mV左右的一个基准电压。
至于正反馈一说，绝大多数BG中都逃不出正反馈，但这并不可怕，因为最终负反馈大于正反馈，电路可以很容易设计稳定。

如果把pm8换成nmos，也有问题。一是bipolar的c端看到的电压差距会比较大，而且随电压变化会发生变化，怀疑dc的psrr本身就下降。二是如果换成nmos，整个反馈的极性变了，那时真的需要换一下下面两个bipolar和电阻才能正常工作。

我错了，电路画的有点不习惯，但仔细分析一下原理果然正确，7#的公式分析没错

这个电路是用bicmos工艺么?还是纯粹的cmos工艺?

从图上看Q2 M2 M1 PM8构成一个负反馈
增益应该会比Q1 PM8构成的正反馈要大。
Vout=Vbg*R7/R8

3ks,3ks

怎么求出来与电阻R8有关的那?为什么?谢谢。