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拉扎维模拟cmos集成电路设计课后习题求助啊!

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
老板让我先好好看拉神的教材,同时做题,现在做到第三章做不动了……本人愚笨,虽然有手写版答案,但是解题方法以及思路还是不甚了解,如习题3.16(c),是从M2的工作状态开始讨论吗?我算出来M2的在off的临界点的输出电压和答案有出入啊……跪求解答思路(能有详细步骤最好啦)谢谢!

你们老板人怎么这么好?竟然让你看拉扎维的教材还让做题!

额 老板其实是指导师,lz现在读研哈~

在哪读?

成都

是正确的啊。特地算了一下。加我qq,我传个刚写的过程的截图给你吧。qq站短。

还是这里慢慢敲给你吧。
开始,Vin由0开始逐渐增长,M1必然截止,而M2,考虑Vsg》Vtp,这里,VS=VG=VDD,则M2也是截止状态。此时VOUT=VDD.随着Vin增长,到VIN=VTN,M1导通。且注意到VDS>VGS-VTN,所以此时M1处于饱和导通状态。有M1电流为ID1.此时VOUT=VDD-ID1(R1+R2),VG2=VDD-R1ID1.随Vin增长,ID1上升,VOUT和VG2降低。注意到当VG2=VDD-VTP时,M2导通,且此时,VSD2>VSG2-VTP,即VD2<VG2+VTP,VOUT<VG2+VTP,由上面所述,VG2随vin增长而降低,故此刻VG2最大且值为VDD-VTP,则此时VOUT<VDD.故此刻M2处于饱和导通状态。则这是M2有饱和电流ID2流过。计算此刻的输出电压。由M2的栅电压入手,则流过电阻R1的电流为IR1=(VDD-VG2)/R1=VTP/R1.则VOUT=VDD-IR1*(R1+R2)=VDD-VTP(1+R2/R1).
Vin继续增大,由上所述,VOUT减小,则到VDS<VGS-VTN这个临界点,此时VOUT=VIN-VTN.判断此刻状态。M1往后进入线性区。M2仍然处于饱和区。分析结束。

What the question is about?

Which is your school....

分析过程清楚了,thx!



仔细看了下你的ID,和我的名字的拼音一样。hzj

可能我们同名,哈哈

我也是来找答案的......

拉扎维的教材经典啊

百度上挺好找的,我的也是在百度上找的

人才啊你们

wuwu,tongqiua

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