请教带隙基准工艺角仿真的问题
在tt下，调整好管子的参数，基准电压在1.24v左右，
但是到ss或ff下，基准电压会上下偏出20mv之多，
采用运放反馈折叠电阻结构的基准
在tt下，调整好管子的参数，基准电压在0.24v左右，
但是到ss或ff下，基准电压会上下偏出6mv之多，
请问大家，有什么办法减少工艺角仿真带来的基准电压偏差呢
是在电路参数上下手，还是引入新的结构?
谢谢了
调得好的话，在mos的corner下边是不大会受影响的，看看工作点设置是不是正确。
1# chaowei
电阻=用的是理想值还是实际model? spice model里三极管有几种corner?
如果是实际model,也考虑了三极管的corner, pvt仿真的结构variation有这么多是正常的。调到多少得看你的技术功底和工艺corner之间的差别了。
如果电阻是理想值，三极管只有一个corner, 那就要看工作点了
正解！
3# jianjing526
谢谢这么多热心的兄弟阿
用的实际的电阻
基准源一般最好能调到多少呢?
我做了trim，工艺角偏差上下１０ｍｖ左右
能调到多少呢?
谢谢
xiexie
一般只有bjt和resistor的corner才会有明显影响，MOS管不大可能有影响的，你的偏置有问题，或者环路增益太低
说白点，bjt的corner影响的是VBE的绝对值，这个没什么办法；res的corner影响的是电流，这个电流对正温度系数部分没影响，但是不同电流得到的VBE不同，这个可以通过加大电流让VBE的I-V特性曲线取在拐点之后斜率相对稳定的一段能稍微改善一些。
学习了
thanks ！
電路結構影響最大，有放大器的一般較不受影響。
如果电阻是理想值
thanks ！
学习了
都不是理想的，VBE和电阻值都随corner变化的。尤其是电阻，相差20%左右是正常的
你好，我想问下这个trim怎么做啊，有没有具体的教程，能不能发个，谢谢
不知道lz所说的corner是指三极管还是电阻或者MOS管
对！
感谢小编，我的收获很大，以后希望还能有更多的好东西！
一般MOS的工艺角没有太大的影响，主要是BJT和电阻工艺角的影响大，不同工艺角下，基准电压相差可能有几十个毫伏。
BJT corner影响很大，我最近做的一个bgr在全pvt corner下（包括bjt corner）最大和最小值之间能差到30mV
学习了。
有运放的带隙工艺偏差应该会小点的。
我做出来的基准 浮动30mv 啊心里好郁闷啊
请问在做电路的过程中应做如何考虑以降低各Corner间性能参数的变化?
bjt model level=1 only ss/tt/ff ..
but mos have 5 corner model ..
只跑MOS工艺角，影响不大，这里只有OTA输入失调以及电流镜的影响，一般很小；跑MOS和R工艺角，影响也不大，因为此时只是电流的微笑变换，电阻比值以及带隙电压变化很小；跑全工艺角，由于带隙电压的变化，会造成比较大的初始电压值的变化，温度曲线也会有比较大的差异
学习了！
想请教一下，如果放ss和ff与tt相对比，Vref的温度系数相差很大，Vref的浮动很大，有什么办法可以解决这个问题，是从电路架构考虑还是从其他方面考虑
我做的带隙基准800mv、如果只是改mos的 tt 到 ss,Vref变化不大，但是接着更改为bjt_ss、res_ss时，Vref相差9mv之多,这正常吗