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请教带隙基准工艺角仿真的问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
采用运放反馈结构的基准
在tt下,调整好管子的参数,基准电压在1.24v左右,
但是到ss或ff下,基准电压会上下偏出20mv之多,
采用运放反馈折叠电阻结构的基准
在tt下,调整好管子的参数,基准电压在0.24v左右,
但是到ss或ff下,基准电压会上下偏出6mv之多,
请问大家,有什么办法减少工艺角仿真带来的基准电压偏差呢
是在电路参数上下手,还是引入新的结构?
谢谢了

调得好的话,在mos的corner下边是不大会受影响的,看看工作点设置是不是正确。

1# chaowei
电阻=用的是理想值还是实际model? spice model里三极管有几种corner?
如果是实际model,也考虑了三极管的corner, pvt仿真的结构variation有这么多是正常的。调到多少得看你的技术功底和工艺corner之间的差别了。
如果电阻是理想值,三极管只有一个corner, 那就要看工作点了

正解!

3# jianjing526
谢谢这么多热心的兄弟阿
用的实际的电阻
基准源一般最好能调到多少呢?
我做了trim,工艺角偏差上下10mv左右
能调到多少呢?
谢谢

xiexie

一般只有bjt和resistor的corner才会有明显影响,MOS管不大可能有影响的,你的偏置有问题,或者环路增益太低

说白点,bjt的corner影响的是VBE的绝对值,这个没什么办法;res的corner影响的是电流,这个电流对正温度系数部分没影响,但是不同电流得到的VBE不同,这个可以通过加大电流让VBE的I-V特性曲线取在拐点之后斜率相对稳定的一段能稍微改善一些。

学习了

thanks !

電路結構影響最大,有放大器的一般較不受影響。

如果电阻是理想值

thanks !

学习了

都不是理想的,VBE和电阻值都随corner变化的。尤其是电阻,相差20%左右是正常的

你好,我想问下这个trim怎么做啊,有没有具体的教程,能不能发个,谢谢

不知道lz所说的corner是指三极管还是电阻或者MOS管

对!

感谢小编,我的收获很大,以后希望还能有更多的好东西!

一般MOS的工艺角没有太大的影响,主要是BJT和电阻工艺角的影响大,不同工艺角下,基准电压相差可能有几十个毫伏。

BJT corner影响很大,我最近做的一个bgr在全pvt corner下(包括bjt corner)最大和最小值之间能差到30mV

学习了。

有运放的带隙工艺偏差应该会小点的。

我做出来的基准 浮动30mv 啊心里好郁闷啊

请问在做电路的过程中应做如何考虑以降低各Corner间性能参数的变化?

bjt model level=1 only ss/tt/ff ..
but mos have 5 corner model ..

只跑MOS工艺角,影响不大,这里只有OTA输入失调以及电流镜的影响,一般很小;跑MOS和R工艺角,影响也不大,因为此时只是电流的微笑变换,电阻比值以及带隙电压变化很小;跑全工艺角,由于带隙电压的变化,会造成比较大的初始电压值的变化,温度曲线也会有比较大的差异

学习了!

想请教一下,如果放ss和ff与tt相对比,Vref的温度系数相差很大,Vref的浮动很大,有什么办法可以解决这个问题,是从电路架构考虑还是从其他方面考虑

我做的带隙基准800mv、如果只是改mos的 tt 到 ss,Vref变化不大,但是接着更改为bjt_ss、res_ss时,Vref相差9mv之多,这正常吗

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