工艺角（process corner）问题请教
小弟初学，不是太了解ss和ff的工艺角有什么不同
我现在的理解是：
ss的阈值电压比较高
ff的阈值电压比较低
不知道对不对?其他方面还有哪些区别或者不同的地方
请大侠指点
与阈值电压没有关系，因为在仿真前你所用的晶体管的类型是确定的。ff-corner 比ss-corner考虑的管子的寄生参数稍微理想一些，你可以看看你仿真用的spice model，相同晶体管在ff-corner和ss-corner的参数不同！
我对这个理解的也不是很深！
我也是新手啊，model中有好多参数，都不知道什么意思
是不是model中的参数没有统一的名字，各个工艺都有自己特有的名字
你可以针对同一种晶体管（比如lvtpfet）看看ff-corner 和ss-corner的参数，对于同一种参数ss-corner好像比ff-corner的稍微大一些。
我的model中没有你说的那个参数，可能工艺不同参数就不一样吧
各个参数大小ss和ff大小不一样，有的是ss大有的是ff大
关键是各个model中的参数的意思不知道
corner的差别不仅仅体现在vth上，这只是其中比较重要的一个，只要是跟实际制造过程相关的参数，都会有变化，比如栅氧厚度，扩散浓度等；绝大部分参数基本都服从正态分布，tt corner当然就是出现最多的了，如果以此为基准，那么比tt情况更快的就是fast corner，比tt情况更慢的就是slow corner。
谢谢指点
这样的话，在我分析电路的时候，主要就是考虑Vth的影响了是吧?
我会比较关注两个参数，vth和ids，如果要使你的电路风险最小，电路要有足够的裕度，所有的PVT（process、voltage、temperature）组合仿真都通过，process是5个 tt ss ff fnsp snfp ，一般情况下最差的情况就是ss 、最高温度、最低电压，如果这种情况能够仿真通过，那么这个电路就基本没问题了。
若从工艺角度将,在只调节 WELL IMP process 的情况下，SS 的VTH 要高一些，器件翻转会慢，IDS 偏小，但是漏电会小，FF 为VTH 偏低，器件翻转会快，但是漏电会大，IDS 也会偏大，电路驱动能力相对来说较强。做SS 和FF 主要是在看当前设计的window 大小和所在的方位。验证设计流油的窗口是否合理，设计和制造耦合的是否合理。
谢谢！
信号还是比较多，高手不上来，我来涨点知识，多少有点收获
谢谢指点
再讲详细一点就好了……
顶一个~
主要精力放在FF和SS高压下吧，一般芯片工作要求工作在-25到85，本人经验来看，-25度一般问题不大，常出现问题的就是FF和SS高温，仿真设计中建议高温，low.morm.high电压下都多留余度
工艺角FF，SS表现于对负载驱动能力的大小，FF表示驱动能力大，输出电流大，那么其阈值电压就会偏小，同样的，迁移率较大，宽长比偏大，一些影响电流的因素都会往偏大的方向偏，暂时是这么理解，不知对不对
学习一下
一般worse case是 SS, TEMP最低， VSUPPLY 最小， 主要还是DC值不能保证所有的核心DEVICE 工作于饱和态，