请问一般自己做的OPAMP的offset多大？有50mv吗？

输入端的offset大该几十mV吧。

看需求了，有几毫伏到几十毫伏

匹配稍好一点也就几mV，几十不太可能吧?！

不可能呀，原来我也以为只有10mv左右，但是后来听工作20几年的工程师说，其实一般自己做的有50mv，也很正常，所以特地问下论坛做过opamp的大侠们。

50mV
是够大的了，没搞好吧

呵呵，看怎么做，随便丢两个0.5u/0.5u的管子当输入管就有可能，稍微注意点就不可能。
可以想一下：
做一个5V输出的LDO，BG的OP有+50mv的offset，BG的输出offset被放大8倍到400mv，本来1.2v的BG
成了1.6V，LDO的OP又有+50mv的offse，输出5V又被放大4倍，结果本来5V的LDO变成了6.875V。
大家可能测到过这么离谱的片子吗?还是偶尔找到一颗当边缘坏片扔掉了?难道大量测到不检查自己的设计去怀疑工艺?

没有注意到！以前都是作为废片处理的！

以后可以引起注意。

请问offset这个参数要怎样仿真得到呢?
输入信号如何加?
这个参数该看哪里呢?
谢谢

50mV太大了！

50mv我也觉得大，我也有所怀疑，正因为如此，一般工业界BG都会做chopping的来克服offset的影响。而current mirror形式的BG一般也不会用在DAC之类中，因为温漂非常差。那我想问下稍微认真考虑匹配之类的offset一般会多大呀?

50mV算是比较大了，一般情况下的应用不会大于10mV，

看size跟架構吧, 小面積的設計幾十很正常.

不对称吧

我大概作的低於5mV以下

Offset和你所用MOS管尺寸相关，一般电路内部用的对精度要求不高的，几个mV到十几个mV范围吧，想要做到5mV以内，代价就挺大了，甚至1mV就很困难了。1mV以下，一般就要用特殊技术了。50mV Offset那就是瞎搞了。
Offset也与工艺水平相关，我所说的是基于0.5um、5V工艺水平，工艺越先进，Offset会越好，但电源电压也在减小，所以精度并没有提高。
或者你说的50mV Offset是采用高压几十伏工艺制程做的也可能。

yoffset?

同求该问题答案啊

about 10~20mv offset if you didn't do any matching

谢谢！