沟道长度调制系数的问题

一般要得到沟道长度调制系数都是通过仿真（MOS饱和）得到的，根据公式gm=lamba*Ids，
但是本人根据以上的方法仿真发现不同的值算出的lamba的差别挺大的，比如0.012,0.008等
请问这样的结果正确的吗?

gds=lambda*Ids is a coarse approximation. In fact, the modeling of ro of a MOSFET is very complicated. So I think it is not unexpected that you get different lambda value using the equation.

手算模型和仿真模型是不一样的，主要是短沟道下受到强场下迁移率下降效应和载流子速度饱和效应影响。

一个小问题，应该是gds=lambda*Ids