如何仿真一个MOS管的特征频率？

matlab hspice

foundry会告诉你的，笨蛋！

这位大哥，这个是可以仿的，有个实验就是仿真特征频率，请你注意素质，你以为你比谁聪明呢

楼上能解释一下：
.probe ft = par(‘1/2/3.142*gmo(mn1)/(-cgsbo(mn1))’)
这句话的含义吗?

那是定义吧

谢谢了，就是不知道OV，和ft的表达式是什么意思。请大虾帮忙解决

Ft就是 为MOS管子的特征频率。
Vo 就是 over drive 电压 过驱动电压。
可以看看allen第二章的课后习题，里面对Ft的定义和求解 都有很好的解释。

学习了

有点忘了，好像是做交流仿真还是瞬态仿真，看栅极的电流和漏极的电流相等，还是增益为1.具体的你理解理解ft的含义吧。

cgsbo 是不是只代表 cgs 呢? 特征频率表达式中 Wt=gm/ (Cgs+Cgd); 如果Cgd 不包含在其中，仿真结果是不是不准确呢?另外，按照这个方法，利用0.18um 的模型，做了一个仿真发现当NMOS 的宽度大于10um 时，ft 基本保持不变，但是当W小于10um时，特别是小于5um 时，ft 的仿真结果与当W大于10um时的仿真结果相差较大，不知什么原因导致的，望给予指点。谢谢

.probe ft = par('gmo(m1)/(2*3.14*cggbo(m1))')

使用cggbo仿真出来的 ft 结果 比使用cgsbo的值要小很多，到底用哪个合适呢?
我使用0.18um模型仿真发现当W大于10um时，改变W时，ft 基本保持不变，当W小于10um时，例如W=5um，ft 仿真结果与当W大于10um时的仿真结果相差比较大，这是什么原因呢?另外，仿真电路中的漏源电压为何设置为VDD/2 ，而不是其他的值?谢谢

我使用0.18um模型仿真发现当W大于10um时，改变W时，ft 基本保持不变，当W小于10um时，例如W=5um，ft 仿真结果与当W大于10um时的仿真结果相差比较大，这是什么原因呢?另外，为什么漏源电压取电源电压一半

我使用0.18um模型仿真发现当W大于10um时，改变W时，ft 基本保持不变，当W小于10um时，例如W=5um，ft 仿真结果与当W大于10um时的仿真结果相差比较大，这是什么原因呢?另外，源漏电压为什么取二分之一VDD?

不好意思,最近比较忙,来的少了.
你可以下载EE214的lecture看看,里面有讲到.
另外,清华池保勇那本书参考了EE214的课程,里面有讲到,还算详细.
论坛有下载.

这是 HSPICE manual里面的解释吗?

在计算ft的公式中Cgs前面为什么要加一个负号啊?

H参数中H21为1的频率就是fT

学习啦，谢啦