关于mos管电容的仿真！
电路结构：
pmos管的S和D相连接Vscan（dc magnitude设为变量s），G接另一个电源Vsig（ac magnitude为1v）。
仿真过程：
在analysis中设置ac，对频率进行扫描。然后再用parametric analysis 对 s进行扫描。把仿真的结果用caculator计算“result browser”中“ac-info”里面Cgs与Cds的和，发现结果是负数。为什么会是负数呢?我的仿真方法是否不对?请指教！
ur way is not good！ Look the words below...
initial:
1. set bias voltage of s,d,g,bpole net .
eg: NMOS
vs=vd=vb=0
vg vg 0 bias ac=1
2.
.acdec1 1sweep bias poi 5 0 1 2 3 4
meas i(vg) at fre=1 then you can make it.
感谢楼上回复！
二楼能解释一下你的思路吗?仿真出来的电流值怎样对应上结电容的值呢?
re
c=i/vs
here s=2*pi*f
for f=1, u can work out s=2*pi,v=1
so, c=i/2pi
then u get the value of c under all bias.
add
take care the diff bewteen S & F
correction
s=2pi*f
TianBian365 真实诲人不倦
困惑好久的问题，终于得到解决了
回复小编
进行瞬态分析也可以，电路不变，加一个瞬态源，斜率为一。电流极为电容
Maybe yours is a not bad way, but the transient info includeac parameters and how do you make sure under what cond the value Cap is.
试试吧，真的可以
upupup
nice...
good....
tran. or dc.
使用SP仿真，MOS电容的一段接port，另外一段接gnd。然后sweep frequency, 得出Y参数后，对频率求微分，并除以2*pi， 就可以得出电容随频率变化的曲线。
为什得出Y参数之后求微分 可以得到 电容值
不太明白Y 参数法
2楼正解，记得boser的教程里面也是这样做的
挖坟了，为啥有的工艺的文档中提到sp 仿真时电容两端都加port?
仿真S21,S12等等要两个吧
研究中。看起来非常有效
不太明白
同样遇到困惑 ，解答得不错