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关于米勒补偿的零点问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
如下图,这种结构的密勒补偿可以避免出现零点。想听听各位是怎么理解的,从小信号电流直观的角度分析一下,可以讨论一下。



我先从我的角度分析一下,
小信号电流流过4节点的时候,由于在高频,通过Cc的前馈电流如果刚好=M11的由6节点小信号电压变化引起的小信号电流的话,那么节点8就小信号零点位了。如此理解的话,不还是存在零点吗?

可以这样看,M10为节点4的小信号电流提供了一个低阻通路1/gm10,使得通过Cc流到输出的前馈电流变少了,从而推远了零点,实际上这种补偿应该也是有零点的,只不过相对于密勒补偿更远了

下图,cascode电流镜,从节点2向上看去阻抗是rds,在高频下流过Cc的前馈电流可不小。如何直观阐述一下,此种结构的零点和最普通的gate-drain结构米勒补偿产生的零点位置关系?


你那个阻值是在DC附近的阻值,实际上在需要考虑零点附近的频率,已经超过主极点的频率了。这个时候,第一级的输出近似为地,所以仍然可以看成1/gm

零点依然存在,只是被移到了右边很高的频率处。这个串接M10的结构就是斩断前馈通路的一个信号传输方向的作用。
8-Cc-4-M10-6依然可以传导信号,Vout的电压摆动将会被转换成电流送回到M11的gate,但是对于common-gate stage M10来说M11gate电压的变化则无法通过M10传导到Vout.
所以传输前馈信号的通路相当于断了,但是Vout的信号依然可以回到M11gate,Cc的米勒倍增效应没有被影响,零点却被外推到很高的频率。

写出传递函数,右半平面零点移动到了大概这个位置,Zr=Gm11/(C1+2*C2),C1是节点6的对地等效电容,C2是M11 gate-drain之间的电容。这样,右半平面的位置不再由Cc的值来决定,而且相对高频。另外此电路又产生了一个新的左半平面的零点,大概位置是Zl=-2*Gm10/Cc 这个零点在中频的位置,最好次主极点与这个零点接近相消。
其他的,主极点与普通的non-cascode米勒补偿的电路是一样的。

想了想,还是删了吧。

传递函数应该是写错了,右边零点不可能跟Cc无关,左侧平面确实会有新的零点,可以放到跟次主极点相同的位置,更有利于带宽。如果不存在M10零点在gm11/(Cc+Cgd11),加入M10右半边零点大概是gm10*ro8(gm11/(Cc+Cgd11)),就是说右侧零点被推到了原来的gm10*ro8倍。

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模拟好难啊,初入坑,频率这块完全无从下手

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