学习Flash ADC遇到问题，求指点

由于毕设做的是全并行的ADC，所以就查了些资料，想学一下工作原理。
但是遇到了一些问题。特来求教。
全并行ADC的测量范围和输入的参考电压Vref有关（上限应该还和工艺有关，这个学的太浅，还不知道）。
最多能够测量到Vref。
然后测量精度和ADC的位数有关。
很多文章都有结构和例子。比如这个N位的Flash ADC包含2^N个分压电阻，可以将输入的参考电压分为2^N份从下到上每个端点电压以此增加Vref*1/(2^N)。还包含2^N-1个比较器....省略一些背景介绍

看一些大学的课件，其中举的例子参考电压Vref=1V，这是个8bit的全并行 ADC。
这样的话最下面的那个比较器的共模输入根本达不到静态工作点吧。那是怎么完成比较的呢?
比如如果输入电压Vin很小的时候

这个时候按照大信号来考虑 小信号不成立了

比较器两边的输入信号相差越大，就越快。

还是不太明白....它是怎么把输出拉到电源上的....因为栅压这么低，根本无法导通吧，漏电流近似于0。

比较器是两端输入嘛，一端强，一端弱

兄弟啊，+Vref和-Vref都是相对与共模电压来说的啊，这些都是针对小信号的参数。

当然要考虑比较器的输入共模范围，所以有的比较器输入采用n管，有的采用p管，或者采用轨到轨输入。