关于基准产生电路中运放的问题

模拟初学者，欢迎指教。
对于利用运放虚短虚短的基准产生电路，运放后接MOS或者三极管有何区别?很多项目都是用pnp。
只是因为pnp比MOS容易驱动，MOS会漏电?所以首选pnp吗?
还是。
可能对于pnp和mos的特性还是不清楚
谢谢大家

我有点孤陋寡闻，没见过这样的结构

我感觉PMOS也可以的，只要通过反馈把多余的PTAT电流抽走，抽走电流这一点PMOS也可以的。

你分别仿真看一下PNP与PMOS条件下的vref的温度曲线，看看是否有温度补偿的效果呢?

pnp是为了产生负温度系数啊。那个ptat流过PNP后，就会产生0温度系数电流。MOS的话，VTH研究程度不够，不好控制吧。

我试着比较一下 谢谢

恩恩 谢谢 我试着比较一下

ok 谢谢

谢谢，我仿一下