上电复位电路的问题

大家好：
最近在做一个上电复位电路，请问：
复位时间越长越好吗?我用mos管作为电容，容值可以比较大，用二极管偏置的mos作为电阻，阻值也可以很大，这样我的复位时间就可以做的比较大了，为了保证各个工艺角下，个个温度下（－45～85）都能有足够的复位时间。
其缺点是在不同工艺角和温度下，复位时间相差很大，几百ms都有，所以我想问：
1.用mos作为电容和电阻合不合适?
2.复位时间是不是越大越好（不考虑版图面积的话）
谢谢回复啊！
PS:复位时间一定要稳定吗?我怎么觉得只要时间足够，然后能退出复位状态都可以呢?有经验的高手出现吧！

1、用mos作为电阻和电容是可以的，上电复位的时间一般在500Us-2ms之间,随corner有点变化无所谓
2、个人觉得不代表时间越长越好,原因请高手指点

谢谢讨论！
我的上电复位，时间随工艺角和温度变化很大，远不止你说的500u到几毫秒，我的在有些工艺角和温度下，设置大于1s！感觉变化范围太大了，有点没底。

1S ? 光靠电阻电容来实现，一般designer不会这么干吧，这样芯片size太大，成本上老板承受不了的，加个计数器配合还差不多。
电阻就不建议用二极管接法来做，本身受温度及corner影响较大，用比较精确的电阻吧

谢谢回复，上面写错了，是“甚至”，不是“设置”，呵呵。
为了使电源上电时间长（例如3ms）的时候，电路也能正常复位，所以在电容上加了mos连接的二极管，相当于二极管用，这个东东受温度影响也很大。

想法很奇特

谢谢回复。
POR不都是这么做的吗?有什么更好的方法，还请指教。

有经验的高手出现吧！

我设计几百微秒时，电容都很大，能到1s吗?

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