请教一个低电流基准设计问题,非常感谢！
恳请指点一二,有没有改良的电路结构方法,且用这么多电阻在实际中会有多大的影响.谢谢
用subthreshold region工作来实现，这样电流可以很小，不过这样输出电压不会是1.25V。
你这个BANDGAP是用在什么地方的
我设计中把这个bandgap电流源都设置在subthreshold region状态,Vref为1.195V,但是由于Vref=IR+Vbe,I太小的话，Ｒ很大,我现在做的Ｒ都达到１.９Ｍ了.而且同时我也将PNP的E极area设计得比较小,只有2u*2u,个人很担心会影响匹配性.
会出什么问题吗?谢谢
这个电路是用在Voltage Detector中的.
你这不是cmos工艺吧?
是CMOS工艺,而且是标准,因为要求功耗很小
我觉得这个电流下的spice model都未必准确了，个人意见。
可以考虑加入时钟电路，让你的bandgap工作一会停一阵，输出加个电容采样保持。
对于亚阈的结果，models可以准到什么程度，还是根本就不准，这个是否与工艺线本身有根本性原因，比如有没有 代工厂会有专门的亚阈models
看了很多说用亚阈做的论文，可是真的能做出来吗?
不用双极管
用处于亚阀值区的MOS管代替,这样电流会下来
想问一下，你的功耗小到什么程度?
nA级别,整个芯片的supply current要在1 uA以下.
怎么感觉不可能呢。
一个bandgap总功耗小于1uA都不太现实吧?
电压检测电路大部分都是uA级别的功耗电流,ONSEMI比较BT,他们就达到了0.5uA的supply current.
其实这个还不算,nA级别的震荡器那才头疼,不知道他们怎么搞出来的！
本人用亚阈值mos基准流过smic0.18，可靠性很差
怀疑亚阈值model准确度
不太懂
亚阈区很难做准的。或许可以考虑牺牲精度。
你用的是什么工艺?个人感觉，你的片子tapeout出来，能工作吗?我也做了个掉电检测电路，整体功耗４个uA，
R＝1.9M不算太大，还见过3～4M的！
那你就去把ONSEMI的打开来看看他们怎么做的！
标准工艺０.６uM．基准的电阻和输入电压采样电阻都用的很大，目前已经用到几兆电阻了，个人在猜想ＯＮＳＥＭＩ是不是基准采用的什么特殊结构和工艺来做的．
目前还没有流片出来，因为发现ＭＡＸＩＭ和ＯＮＳＥＭＩ的比较器传输时延很短，低于１us,所以还在改比较器，可能得采用高速比较器，担心其功耗啊！头大中！
pA级的振荡器我都搞出来过。不过电源要求高，温度特性特性差。
你的带有电阻的Q管的面积要很小很小，Q2/Q1比1大一点就可以，这样在小电流时，R1很小，Q3的面积要大，减小R2/R1的值，这样R2
也就小了
这样的方法你试过?
Q2/Q1比例减小是在牺牲ΔVbe，导致mismatch很严重，最终的vref的sigma值太大
别人的不知道，smic的我试过，一个BGR 5uA功耗，整体，主要的BJT那里分别是1uA,2uA这样子，出来温度特性还好，但离散度很差，仿真只有+、-60mV的偏差，但测试都有+/- 200mV的，一些芯片。
你要求功耗小，电阻大是必然的，我都整个用了6Mohm的电阻。