微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > RFIC设计学习交流 > 关于下述电路如何调节使MOS管工作在饱和区

关于下述电路如何调节使MOS管工作在饱和区

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
诸位前辈好,大三自学cadence,处于初学阶段,正在尝试搭建由1、基础电流镜控制尾电流的差动放大器和2、一级简单放大器构成的二级放大电路。但不知道如何统筹使各个mos管工作在饱和区,和如何通过改变宽长比改变电路增益和摆幅,希望可以和大家讨教一二。由于是初学,电路中可能也存在许多差错,希望有发现问题的前辈能够不吝指出,或者告诉我应该去学习某方面的知识。新人在此先行谢过。
电路图如下:

自己顶一下

没有人吗?是我的问题叙述的不够清楚吗?

参考allen数上关于两级op的详细设计流程,如果没有书的话,可以去图书馆找,或者网上下电子档。
不难,但文字描述的话比较多,现在大家时间都比较珍贵的。
一般几个步骤,1,选工艺,
2,分配电流
3,根据电源电压,分配vgs
4、vgs分配好的话,w/l也就知道了
5、静态工作点仿真,微调
6、ac仿真
7、trans仿真
8、psr,cmrr,dc-scan等杂七杂八的仿真

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top