bandgap 电阻比例调节

最近在做一个sub-1v的bandgap，选择了以下的结构

这样的结构Vref=R4/R3*VBE1+R4/R1 * VT*ln(n)

我调节的步骤基本上是这样：
1）先在固定电流条件下，对pnp管进行温度扫描，在27度时，量出VBE的温度系数。
2）由推导出的电流：I=1/R3*VBE1+1/R1* VT*ln(n)令其在27度时的温度系数为0，求出R3与R1的比例关系。
3）由想要IPTAT定出R1的大小，由R3/R1近似的比例关系，确定R3的初值，再进行参数扫描。
4）Vref得到近似抛物线的曲线，再进行微调。
条件：
1）电阻用的p型unsaliside poly电阻
2）电源电压2V
问题：
1）我这流程靠谱吗?
2）现在TT corner 和FF corner都可以，除了0温系数点不在室温下。但SS corner 确一直是正温系数电压，这个时候我已经带入的是unit单元的实际电阻，再调节的话感觉没有什么思路。
各位有做过类似结构的bandgap给提提建议可以吗?希望不吝赐教，谢谢。

靠谱。电压为什么用2V?
差不多就行了，调得那么准也没意义。出来也不是这个样。
仿仿MC，看看运放offset对输出电压的影响。
再加一个合适的启动电路。

主要是保证，带隙能在电源电压为2v时能work，电池供电。
谢谢。
这种结构，有什么缺点呢?
PSRR?

我觉得做的可以了

什么电池，工作在2V?
这种电路有时会启动不好，启动电路要仔细做，多仿真个各种情况。
其实低电压大家都用这个电路。

reasly i dont know any thing..

学习学习

mark
psrr要达到多少才算合格呢?

可以了，差个start Unit，版图做时留点余量。

MC怎么仿?其model怎么写?求大侠指教！

psr应该还好

电阻最好选poly电阻吧 rpposab